Описаний спосіб досягти тижневої автономності смартфона

Фахівці IBM та Samsung описали перспективу досягти тижневої автономності смартфона. Про це повідомляє видання The Verge.

Відповідно до концепції інженерів двох компаній, новий спосіб полягає у вертикальному розташуванні транзисторів у чіпах замість звичного горизонтального. Вчені вважають, що технологія Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) прийде на зміну FinFET, що існує. У разі електроенергія подається вертикально, що помітно оптимізує її розподіл за компонентами чіпів.

За оцінкою фахівців, новий спосіб дозволяє помітно скоротити споживання електроенергії. Відповідно до одного з амбітних планів, у перспективі можливе дворазове покращення продуктивності або скорочення споживання енергії на 85 відсотків у порівнянні з технологією FinFET. Також завдяки VTFET можна оминути обмеження, що накладаються законом Мура — це спостереження, згідно з яким кількість транзисторів подвоюється кожні 24 місяці.

Фахівці IBM і Samsung відзначили, що нова технологія дозволить не тільки збільшити автономність акумуляторів смартфонів, але й створити менш енергоємний спосіб майнінгу криптовалюти та шифрування даних.