Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads LinkedIn Telegram RSS
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram Threads LinkedIn RSS Bluesky
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Компанії»Samsung розробляє першу в галузі 12-нм DDR5 DRAM
    Компанії

    Samsung розробляє першу в галузі 12-нм DDR5 DRAM

    ВолодимирBy Володимир23.12.20225 коментарів2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Компанія Samsung Electronics у співпраці з компанією Advanced Micro Devices (AMD) розробила першу в галузі динамічну оперативну пам’ять DDR5 (DRAM) класу 12 нм. Масове виробництво цієї нової пам’яті DRAM розпочнеться у 2023 році, і очікується, що вона розширить можливості обчислювальних машин нового покоління, центрів обробки даних і додатків штучного інтелекту (AI) завдяки своїй винятковій продуктивності та більшій енергоефективності.

    12-нм DDR5 DRAM від Samsung для вдосконалення центрів обробки даних і додатків ШІ

    16 ГБ DDR5 DRAM стало можливим завдяки використанню інноваційної технології, включаючи новий матеріал з високим κ, який збільшує ємність осередку, і власну технологію розробки, яка покращує критичні характеристики схеми. Це, у поєднанні з вдосконаленою багатошаровою екстремально ультрафіолетовою (EUV) літографією, призвело до найвищої в галузі щільності матриці, що дозволило збільшити продуктивність пластин на 20%.

    Використовуючи найновіший стандарт DDR5, DRAM класу 12 нм від Samsung забезпечуватиме швидкість до 7,2 гігабіта на секунду (Гбіт/с), що дозволить обробляти два фільми надвисокої чіткості (UHD) розміром 30 гігабайтів (ГБ) лише за одну секунду. Окрім що вражає швидкості, нова DRAM також відрізняється енергоефективністю. Він споживає на 23% менше електроенергії, ніж попередні DRAM, що робить його ідеальним рішенням для глобальних ІТ-компаній, які прагнуть до більш екологічно чистих операцій.

    «Наша 12-нанометрова оперативна пам’ять стане ключовим фактором сприяння широкому запровадженню DDR5 DRAM», — сказав Джуен Лі, виконавчий віце-президент із продуктів і технологій DRAM у Samsung Electronics. «Завдяки винятковій продуктивності та енергоефективності ми очікуємо, що наша нова DRAM стане основою для більш стійких операцій у таких сферах, як обчислення наступного покоління, центри обробки даних і системи, керовані ШІ».

    Розробка 12-нм DDR5 DRAM стала можливою завдяки тісній співпраці з галузевим партнером AMD. «Ми раді знову співпрацювати з Samsung, зокрема щодо представлення продуктів пам’яті DDR5, які оптимізовані та перевірені на платформах «Zen», — сказав Джо Макрі, старший віце-президент, корпоративний співробітник і технічний директор клієнтського відділу обчислень і графіки AMD.

    У зв’язку з тим, що масове виробництво розпочнеться у 2023 році, Samsung планує розширити модельний ряд DRAM, створеного за цією передовою технологією 12-нанометрового класу, на широкий спектр сегментів ринку. Компанія продовжуватиме працювати з галузевими партнерами для підтримки швидкого розширення комп’ютерної техніки наступного покоління.

    Читайте також

     Apple відкладає плани запуску домашнього робота

    03.11.2026

    Apple встановила рекорд продажів iPhone

    03.11.2026

    Google запустила ШІ-модель на супутнику: компанія випробовує орбітальні дата-центри

    01.11.2026

    Останні

    Opel нарешті пропонує зарядку потужністю до 22 кВт

    03.11.2026

    Porsche представила нове покоління системи Porsche Communication Management

    03.11.2026

    Apple HomeView Ultra може з’явитися у 2028 році

    03.11.2026

    Вчені створюють симуляцію Землі без життя, щоб точніше шукати інопланетні організми

    03.11.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    • Про нас
    • Редакційна політика
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.