Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии, чтобы определить их магнитные, структурные и электронные физические свойства.
Об этом написано в статье в журнале Journal of Materials Chemistry C.
Ранее усовершенствование микроэлектрических приборов осуществлялось в соответствии с законом Мура.
Каждые два года ученые удваивали количество транзисторов, увеличивая и частоту.
Но из-за миниатюризации элементов микросхем принципы работы установки на основе кремния переставали работать.
Закон Мура впервые перестал работать в 2003 году. Тогда транзисторы должны были показывать частоту 4 ГГц, а в 2007 – 10 ГГЦ.
Однако до нынешнего времени они показывают частоту не более 3,2 ГГЦ. В новом исследовании ученые решили преодолеть барьер с помощью соединения кремния и ферромагнитного полупроводника.
В таком случае кристаллы вещества-полупроводника создаются на поверхности кристаллов кремния и образовываются новые спиновые контакты.
Результаты работы дают возможность создавать новые спиновые транзисторы и инжекторы.
Взято с vistanews.ru