Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Події»Созданы транзисторы, способные растягиваться в два раза
    Події

    Созданы транзисторы, способные растягиваться в два раза

    ВолодимирBy Володимир14.01.20172 коментарі2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Международная группа исследователей, возглавляемая исследователями из Стэнфордского университета, разработала гибкие и эластичные транзисторы нового типа, которые могут быть растянуты в два раза по отношению к их первоначальному размеру. Гибкая электроникаПри этом, такие транзисторы сохраняют практически неизменными их электрическую проводимость и прочие параметры, что позволит создать на их базе новый тип электронных устройств, закрепляемы непосредственно на поверхности кожи человека или на поверхности движущихся предметов.

    Для изготовления гибкого и эластичного транзистора исследователи использовали полупроводниковый полимер DPP-TT, слой которого был нанесен на слой упругого полимера SEBS.

    Такая комбинация была выбрана из-за того, что оба этих полимера, в силу особенностей их структуры не перемешиваются даже за счет диффузии в месте их контакта.

    На основание полимера SEBS через маску были нанесены участки полимера DPP-TT и в результате был получен эластичный тонкопленочный транзистор, толщиной в несколько десятков нанометров.

    Следует отметить, что в процессе изготовления таких транзисторов используется только специализированный принтер, а сам процесс производится без использования высоких температур, как при производстве обычных транзисторов на базе кремния.

    Параметры эластичного транзистора проверялись при помощи специального механизма, способного растянуть пленку в разных направлениях с определенным усилием.

    В ходе этих проверок было установлено, что некоторые из образцов транзисторов смогли без ущерба их функциональности перенести двойное растяжение во всех направлениях.

    При этом, снижение проводимости транзистора колебалось в пределах от 0.59 до 0.55 см^2/В*с, а структура транзистора может выдержать изгиб полимерного основания более 100 раз.

    Для демонстрации возможностей применения новых транзисторов исследователи изготовили нечто вроде эластичного бинта с простенькой электронной схемой, который был обернут вокруг сустава одного из сотрудников, который носил все это в течение достаточно долгого времени.

    Исследователи отмечают, что такой же технологический процесс может быть использован не только для производства транзисторов, при его помощи можно изготавливать целый ряд полупроводниковых приборов, из которых, в свою очередь, можно делать достаточно сложные электронные устройства.

    И сейчас разработанная учеными технология привлекла к себе внимание со стороны руководства института Samsung Electronics Institute of Technology, которое увидело во всем этом путь к созданию носимых электронных устройств следующего поколения.

    Читайте також

    Google заявила, що мільйонам Android-смартфонів потрібна термінова заміна

    07.02.2026

    Вчені навчилися ефективніше перетворювати зайве тепло на електрику

    05.02.2026

    Starlink Direct to Cell запустять в Іспанії

    04.02.2026

    Останні

    TP-LINK випустила бюджетний роутер TL-7DR3650

    08.02.2026

    Вчені пояснили, як і чому Марс поступово втрачає воду

    08.02.2026

    Apple інтегрує чат-боти Claude, Gemini та ChatGPT у систему CarPlay

    08.02.2026

    Samsung Galaxy S26 Ultra та iPhone 17 Pro Max порівняли на зображенні

    08.02.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version