Незважаючи на проблеми в світі комп’ютерних комплектуючих, виробники продовжують демонструвати свої новітні розробки. Так, наприклад, Samsung створила і показала модуль оперативної пам’яті DDR5, обсяг якого складає 512 ГБ.
В основу рішення легла технологія High-K Metal Gate (HKMG), пише сама компанія. Її суть полягає у використанні діелектриків з високою діелектричною постійною і металевих затворів.
Така пам’ять, зрозуміло, створювалася не для зовсім звичайних домашніх комп’ютерів. «Цільовою аудиторією» такого рішення, скоріше, є ЦОД і суперкомп’ютери.
Цікавою особливістю південнокорейської розробки є те, що фахівцям компанії вдалося на одному модулі розмістити вісім шарів мікросхем DRAM об’ємом 16 ГБ. Вони, в свою чергу, були об’єднані через об’ємне компонування з міжшаровими сполуками.