Фахівці IBM та Samsung описали перспективу досягти тижневої автономності смартфона. Про це повідомляє видання The Verge.
Відповідно до концепції інженерів двох компаній, новий спосіб полягає у вертикальному розташуванні транзисторів у чіпах замість звичного горизонтального. Вчені вважають, що технологія Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) прийде на зміну FinFET, що існує. У разі електроенергія подається вертикально, що помітно оптимізує її розподіл за компонентами чіпів.
За оцінкою фахівців, новий спосіб дозволяє помітно скоротити споживання електроенергії. Відповідно до одного з амбітних планів, у перспективі можливе дворазове покращення продуктивності або скорочення споживання енергії на 85 відсотків у порівнянні з технологією FinFET. Також завдяки VTFET можна оминути обмеження, що накладаються законом Мура – це спостереження, згідно з яким кількість транзисторів подвоюється кожні 24 місяці.
Фахівці IBM і Samsung відзначили, що нова технологія дозволить не тільки збільшити автономність акумуляторів смартфонів, але й створити менш енергоємний спосіб майнінгу криптовалюти та шифрування даних.