Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Обладнання»Мобільна техніка»Galaxy S8 получит двойную камеру с разрешением 12 и 13 мегапикселей
    Мобільна техніка

    Galaxy S8 получит двойную камеру с разрешением 12 и 13 мегапикселей

    ВолодимирBy Володимир31.08.2016Updated:31.08.20161 коментар2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Новый смартфон Samsung Galaxy S8 получит сдвоенный модуль камеры, что до недавних пор приписывалось к числу основных особенностей iPhone 7.

    Об этом сообщает Phonearena со ссылкой на информированные источники. dual-Camera-1 По информации издания, флагман Galaxy S8 выйдет весной 2017 года. Основная камера смартфона получит 12-мегапиксельный датчик собственного производства Samsung, а также дополнительный 13-мегапиксельный модуль Sony.

    Такая система позволит аппарату использовать различную глубину резкости и улучшить качество съемки в условиях недостаточной освещенности.

    Новый южнокорейский смартфон с двойной камерой должен будет составить конкуренцию iPhone 7 Plus, который тоже пока не был представлен официально, но, по слухам, станет первым устройством Apple с двумя модулями основной камеры.

    Улучшения не обойдут и фронтальную камеру Galaxy S8 — разрешение модуля возрастет до 8 мегапикселей.

    Кроме того, смартфон может получить продвинутый сканер радужной оболочки глаза, который впервые был использован в Galaxy Note 7. Double-2 Ранее сообщалось, что Samsung не собирается оставаться в стороне от набирающей популярность виртуальной реальности.

    И Galaxy S8 сможет похвастаться дисплеем с разрешением 4K Ultra HD (3840 x 2160 пикселей).

    А для обеспечения достаточного времени автономной работы смартфона с такой панелью, Samsung установит в устройство более мощный, чем у предшественника, аккумулятор.

    Известно, что Galaxy S8 будет построен на аппаратной платформе Snapdragon 830, выполненной на 10-нм технологическом процессе FinFET.

    И этот техпроцесс положительно скажется как на производительности чипсета, так и на его энергопотреблении. Взято с macdigger.ru

    Читайте також

    iPhone Fold розсекречено повністю: два екрани, Touch ID та жодної видимої складки

    24.12.2025

    Вартість оперативної пам’яті для iPhone 17 Pro зросла на 230%

    24.12.2025

    Інженери розробили робота, який працює без батарейок

    24.12.2025

    Останні

    Вчені відкрили істоту, яка порушує фундаментальний закон біології

    24.12.2025

    iPhone Fold розсекречено повністю: два екрани, Touch ID та жодної видимої складки

    24.12.2025

    Ціанід з комети 3I/ATLAS розсіюється в космосі і не загрожує Землі

    24.12.2025

    Вчені виявили можливу криву структуру Всесвіту

    24.12.2025
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2025 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version