Samsung розробила першу 10-nano GDDR6 з використанням EUV

Компанія Samsung Electronics завершила розробку 10-нанопам’яті GDDR6 DRAM 3-го покоління (1z) 16 Гбіт, використовуючи процес екстремального ультрафіолету (EUV). Розробка GDDR6 DRAM з використанням EUV є першою у світі. GDDR6 — це графічна DRAM, яка значно підвищує швидкість обробки даних. GDDR6 може обробляти 1,1 терабайта (ТБ) даних за секунду. Це швидкість, яка дозволяє обробити 275 відео у форматі Full HD за 1 секунду.

Це на 30% швидше, ніж що існує DRAM (18 Гбіт/с) з максимальною швидкістю 24 Гбіт/с. Очікується, що попит на високопродуктивні GDDR6 різко зросте через підвищення графічної продуктивності ПК, ноутбуків та ігрових консолей і зростання ринків високопродуктивних обчислень (HPC), електромобілів і автономних транспортних засобів.

GDDR6 використовував процес High-k Metal Gate (HKMG) для зменшення енергоспоживання. Він забезпечує оптимальне рішення для застосувань, де енергоефективність має вирішальне значення завдяки мінімізації струму витоку.

Samsung Electronics також застосувала динамічне масштабування напруги низької потужності (DVS) для GDDR6. DVS — це технологія, яка контролює енергоспоживання шляхом динамічної зміни робочої напруги DRAM. Він підтримує робочу напругу до 1,1 В, що нижче, ніж попередні 1,35 В. Якщо цю технологію застосувати до ноутбука, час роботи акумулятора значно збільшується.

Samsung Electronics розробила GDDR6 відповідно до стандарту JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), щоб підвищити надійність своєї продукції. Очікується, що клієнти зможуть легко застосувати GDDR6 у своїх програмах.

Донг-кі Лі, віцепрезидент групи планування продуктів підрозділу пам’яті Samsung Electronics, сказав: «GDDR6 буде встановлено та перевірено в системі наступного покоління наших основних клієнтів, починаючи з цього місяця». Samsung Electronics планує лідирувати у зростанні ринку DRAM за допомогою диференційованих рішень на ринку GDDR6 із двозначним зростанням щороку. Джерело