Samsung приступила до виробництва eUFS-накопичувачів для смартфонів

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва найшвидших в галузі мікросхем флеш-пам’яті з інтерфейсом eUFS 3.1. Ця пам’ять націлена як на флагманські смартфони, так і на тонкі ноутбуки. Новинка забезпечить в три рази більшу швидкість запису, що стане знахідкою для любителів фотографій з великою роздільною здатністю і цінителів відео з роздільною здатністю 8K.

Швидкість запису на чіпи Samsung з шиною eUFS 3.1 ємністю 512 Гбайт пробиває психологічний бар’єр в 1 Гбайт/с і досягає 1,2 Гбайт/с в режимі усталеної записи. Аналогічна продукція компаній WDC і Toshiba здатна показати швидкість запису до 800 Мбайт/с. Мікросхеми пам’яті з інтерфейсом eUFS 3.0 показували ще меншу швидкість запису — до 400 Мбайт/с. Тим самим Samsung потроїла цей параметр, що виглядає вельми вражаюче.

З подібною швидкістю фільм об’ємом 100 Гбайт можна переписати за 1,5 хвилини, тоді як у разі накопичувача eUFS 3.0 запис тривав би 4 хвилини. Пакет великих фотографій на смартфоні або відео з роздільною здатністю 8K на ноутбуці — всім цим стане легше оперувати, коли нова пам’ять Samsung проникне в пристрої.

Усталена швидкість читання з нових мікросхем Samsung залишилася на рівні мікросхем попереднього покоління і досягає 2,1 Гбайт/с. Теоретична межа швидкості обміну по інтерфейсу UFS 3.1 досягає 2,9 Гбайт/с, так що виробникам ще є над чим працювати.

Слід сказати, що специфікації eUFS 3.1 в порівнянні зі специфікаціями eUFS 3.0 не передбачають зростання швидкості обміну до нового значення, хоча залишають лазівку для збільшення швидкості запису. Ймовірно, цим і скористалася компанія Samsung. Зокрема, специфікації eUFS 3.1 передбачають наявність буфера для запису. Очевидно, це прискорить запис до якогось певного обсягу інформації, а після переповнення буфера швидкість може знизитися, але нам це ще належить дізнатися. Поки ж чіпи Samsung eUFS 3.1 об’ємом 512 Гбайт, 256 Гбайт і 128 Гбайт залишаються найшвидшими в індустрії.

Додамо, швидкість запису випадкових блоків в термінах IOPS зросла незначно — лише на 3% з 68 000 до 70 000. Швидкість читання випадкових блоків в IOPS збільшилася переконливо — на 60% з 63 000 до 100 000. У нових смартфонах ця пам’ять з’явиться не раніше , ніж у другій половині цього року.