Samsung прискорює розробку 160-шарової пам’яті 3D NAND

На цьому тижні китайська компанія YMTC повідомила про розробку 128-шарової флеш-пам’яті 3D NAND рекордного обсягу. Китайці пропустять етап виробництва 96-шарової пам’яті і в кінці року відразу почнуть випускати 128-шарову пам’ять. Тим самим вони вийдуть на рівень лідерів галузі, що рівноцінно розмахування червоною ганчіркою перед очима бика. І «бики» відреагували як годиться.

Південнокорейський сайт ETNews сьогодні повідомив, що компанія Samsung прискорила розробку 160-шарової 3D NAND (або V-NAND, як називають в компанії багатошарову флеш-пам’ять). У Samsung це називається стратегія «суперзазора» або гра на випередження, що має допомогти південнокорейським технологічним лідерам залишатися попереду конкурентів. Оскільки успішність Samsung лежить в основі південнокорейської економіки, це питання процвітання цілої нації, тому в компанії серйозно ставляться до своєї роботи.

Пам’ять зі 100+ шарами Samsung представила в серпні минулого року. Можна вважати, що компанія вже третій квартал поспіль випускає умовно 128-шарову пам’ять (точне число шарів достеменно залишається невідомим). Наступною на сцені повинна з’явитися пам’ять Samsung з 160 або навіть з великим числом шарів. Вона буде ставитися до 7-го покоління пам’яті V-NAND. З чуток, компанія домоглася значного прогресу в справі її розробки. Є думка, що Samsung першою підкорить кордон в 160 шарів, як це сталося з усіма попередніми поколіннями пам’яті 3D NAND.