Samsung почала випускати пам’ять DRAM з використанням сканерів EUV

Компанія Samsung Electronics повідомила про подолання знаковою віхи. Клієнти компанії отримали в своє розпорядження один мільйон модулів пам’яті DDR4 на перших в світі кристалах пам’яті, для випуску яких використовувалися сканери діапазону EUV. Всі вони пройшли комплексне тестування і рекомендовані для установки в ПК преміального рівня і в сервери.

Згідно з усталеною традицією, Samsung не розкриває точні норми виробництва чіпів пам’яті в новому поколінні. Кодове позначення даного техпроцесу — D1x. Відзначимо, сканери EUV з довжиною хвилі 13,5 нм використовуються тільки для невеликої частини виробничих операцій. Повністю перевести випуск пам’яті покоління D1x на проекцію з сверхжёсткім випромінюванням компанія планує в наступному році. Така пам’ять отримає позначення D1a.

Використання у виробництві сканерів EUV дозволяє відчутно скоротити число повторюваних кроків. Тепер замість кількох фотошаблонів і, відповідно, кількох проходів променем сканера по кремнієвій підкладці досить буде одного або двох фотошаблонів і одного-двох проходів. Це економія ресурсів і часу, що виллється в зниження собівартості пам’яті. За словами Samsung, завдяки сканерів EUV продуктивність виробництва пам’яті D1x при обробці 300-мм кремнієвих пластин збільшилася в два раз. Це означає, що з часом собівартість виробництва пам’яті також знизиться приблизно в два рази.

У наступному році з використанням техпроцесу D1a із застосуванням сканерів EUV компанія Samsung збирається почати масштабне виробництво пам’яті DDR5 і LPDDR5. Для нового стандарту пам’яті собівартість має велике значення. Також для розширення випуску пам’яті з використанням сканерів EUV компанія планує запустити на заводі в Пхентхек (Республіка Корея) другу виробничу лінію, що відбудеться в другій половині поточного року.