Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Компанії»IBM представила 19-Тбайт NVMe SSD из памяти MRAM
    Компанії

    IBM представила 19-Тбайт NVMe SSD из памяти MRAM

    ВолодимирBy Володимир07.08.2018Updated:07.08.20184 коментарі2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    К саммиту Flash Memory Summit 2018 компании IBM и Everspin подготовили анонс любопытного продукта — линейки серверных SSD FlashSystem с кеширующим буфером из памяти ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM).

    Обычно подобный буфер выполняется из памяти DRAM (в современной версии — из DDR3 или LPDDR4), который необходимо защищать от потери данных в момент критических сбоев питания. Делается это с помощью навесных батареек или суперконденсаторов.

    Замена микросхем буфера на энергонезависимую память упрощает процесс защиты данных во время сбоя питания. Другое дело, что для этого подходит далеко не каждая память.

    Например, память NAND медленная и подвержена быстрому износу. Частично проблема износа решается за счёт буфера из NAND SLC, но хотелось бы чего-то более надёжного.AnandTechПерспективной памятью для буферов записи SSD считается магниторезистивная память и она в недавнем прошлом для этого уже использовалась.

    Пока создать накопитель исключительно на памяти MRAM представляется невыгодным — слишком мала плотность записи. Так, сегодня память MRAM выпускается в виде 256-Гбит чипов с техпроцессом 40 нм.

    До конца года обещает начаться выход 22-нм микросхем объёмом 1 Гбит, но и этой ёмкости мало для производства SSD. Впрочем, в ряде случаев создание SSD на памяти MRAM выгодно и это делается.

    В компании IBM решили начать с малого и внедрили в производство линейку SSD с буфером записи из 256-Гбит микросхем MRAM Everspin.AnandTechЗаметим, традиционно накопители IBM FlashSystem имеют уникальную конструкцию, которая также имеет, скажем, так, централизованную систему защиты от пропадания питания.

    Новые накопители в линейке IBM FlashSystem выполнены в виде SSD 2,5-дюймового формфактора U.2 и к защите от сбоев питания пришлось прибегать уже индивидуально.

    В компании IBM решили проблему в корне — заменили буфер из DRAM на буфер из ST-MRAM. Основной массив памяти — это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC. Представлены модели накопителей объёмом до 19,2 Тбайт. Интерфейс — PCI Express 4.0 x4, который может работать в режиме двух портов одновременно (2+2).

    Поставки новинок клиентам компания IBM рассчитывает начать в течение августа. Другой информации о накопителях пока нет.

    Читайте також

    Samsung представила інтерактивні дошки WAFX-P

    21.02.2026

    Apple працює над трьома пристроями з камерами та штучним інтелектом

    19.02.2026

    Apple готується представити відеодомофон з Face ID

    18.02.2026

    Останні

    Глибоководна лихоманка: попит на загадкові камені з океанського дна стрімко зростає

    21.02.2026

    Samsung представила інтерактивні дошки WAFX-P

    21.02.2026

    Toyota може заборонити водіям вимикати системи безпеки

    21.02.2026

    ООН: людство вступило в небезпечну фазу виснаження водних запасів планети

    21.02.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version