Перехід з кремнію на напівпровідники з широкою забороненою зоною (нітрид галію, карбід кремнію та інші) дозволяє значно підняти робочі частоти і підвищити ефективність рішень. Тому однією з сфер перспективного застосування широкозонних чіпів і транзисторів є зв’язок і радари. Електроніка на GaN-рішеннях «на рівному місці» дає приріст потужності і розширення дальності радарів, ніж відразу ж скористалися військові.
Компанія Lockheed Martin повідомила, що в війська США поставлені перші мобільні радіолокаційні установки (РЛС) на основі електроніки з елементами з нітриду галію. Нічого нового в компанії придумувати не стали. На елементну базу GaN були переведені прийняті з 2010 року на озброєння контрбатарейна РЛС AN/TPQ-53. Це перший і поки єдиний в світі радар на широкозонних напівпровідниках.
За рахунок переходу на активні GaN-компоненти РЛС AN/TPQ-53 підвищила дальність виявлення закритих артилерійських позицій і отримала можливість одночасного спостереження за повітряними цілями. Зокрема, РЛС AN/TPQ-53 почала застосовуватися проти безпілотників, включаючи малі апарати. Ідентифікація закритих артилерійських позицій може вестися як в секторі 90 градусів, так і з круговим 360-градусним оглядом.
Компанія Lockheed Martin є єдиним постачальником радарів з активною ФАР (фазированной антеною гратами) в війська США. Перехід на GaN елементну базу дозволяє їй розраховувати на подальше багаторічне лідерство в області вдосконалення і виробництва радарних установок.