Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Події»Созданы транзисторы, способные растягиваться в два раза
    Події

    Созданы транзисторы, способные растягиваться в два раза

    ВолодимирBy Володимир14.01.20172 коментарі2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Международная группа исследователей, возглавляемая исследователями из Стэнфордского университета, разработала гибкие и эластичные транзисторы нового типа, которые могут быть растянуты в два раза по отношению к их первоначальному размеру. Гибкая электроникаПри этом, такие транзисторы сохраняют практически неизменными их электрическую проводимость и прочие параметры, что позволит создать на их базе новый тип электронных устройств, закрепляемы непосредственно на поверхности кожи человека или на поверхности движущихся предметов.

    Для изготовления гибкого и эластичного транзистора исследователи использовали полупроводниковый полимер DPP-TT, слой которого был нанесен на слой упругого полимера SEBS.

    Такая комбинация была выбрана из-за того, что оба этих полимера, в силу особенностей их структуры не перемешиваются даже за счет диффузии в месте их контакта.

    На основание полимера SEBS через маску были нанесены участки полимера DPP-TT и в результате был получен эластичный тонкопленочный транзистор, толщиной в несколько десятков нанометров.

    Следует отметить, что в процессе изготовления таких транзисторов используется только специализированный принтер, а сам процесс производится без использования высоких температур, как при производстве обычных транзисторов на базе кремния.

    Параметры эластичного транзистора проверялись при помощи специального механизма, способного растянуть пленку в разных направлениях с определенным усилием.

    В ходе этих проверок было установлено, что некоторые из образцов транзисторов смогли без ущерба их функциональности перенести двойное растяжение во всех направлениях.

    При этом, снижение проводимости транзистора колебалось в пределах от 0.59 до 0.55 см^2/В*с, а структура транзистора может выдержать изгиб полимерного основания более 100 раз.

    Для демонстрации возможностей применения новых транзисторов исследователи изготовили нечто вроде эластичного бинта с простенькой электронной схемой, который был обернут вокруг сустава одного из сотрудников, который носил все это в течение достаточно долгого времени.

    Исследователи отмечают, что такой же технологический процесс может быть использован не только для производства транзисторов, при его помощи можно изготавливать целый ряд полупроводниковых приборов, из которых, в свою очередь, можно делать достаточно сложные электронные устройства.

    И сейчас разработанная учеными технология привлекла к себе внимание со стороны руководства института Samsung Electronics Institute of Technology, которое увидело во всем этом путь к созданию носимых электронных устройств следующего поколения.

    Читайте також

    Україна тестує лазерну зброю проти масованих атак дронів

    13.02.2026

    Найбільший айсберг світу вступає в фазу швидкого руйнування

    12.02.2026

    Лазер замість батареї: вчені наблизили безкінечний політ дронів

    12.02.2026

    Останні

    Samsung Galaxy S26 Plus надійшов у продаж за тиждень до презентації

    15.02.2026

    Фахівці виявили зв’язок між оральними бактеріями та набором ваги

    15.02.2026

    Ford Nugget отримав версію High Roof із повним приводом

    15.02.2026

    На Місяці знайшли «екзотичне» залізо

    15.02.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version