Технології
Samsung успішно створила 3-нм чіп на абсолютно нових транзисторах
Компанія Samsung повідомила про створення досвідченого 256-Мбіт масиву пам’яті SRAM з використанням 3-нм техпроцесу і досконалого нових транзисторів MBCFET. Зразок дозволив підтвердити характеристики ...
