Компания TSMC предоставила некоторые подробности о своей новой микросхеме SRAM ёмкостью 112 Мбит. Чип выпущен с использованием 20-нм техпроцесса и технологии металлических затворов и High-K диэлектриков (HKMG).
Площадь одной ячейки памяти составляет 0,081 мкм2. Это самое маленькое значение в отрасли, утверждают разработчики. Для сравнения, в прошлом году компания Intel представила 22-нм чип SRAM с площадью ячейки 0,092 мкм2. Площадь всей микросхемы TSMC составляет 40,3 мм2.
Габариты ячейки удалось уменьшить на 40% (по сравнению с чипами TSMC предыдущего поколения) благодаря переходу с 28- на 20-нм техпроцесс. Кроме того, использование передовых схемных решений, которые играют вспомогательную роль в операциях чтения/записи (RWA, read-write-assist), позволило уменьшить напряжение питания ядра с 1 до 0,95 В.