TSMC ускорит развитие 10-нанометровой технологии

Компания TSMC, по сообщению DigiTimes, вынуждена ускорить развитие новых технологий производства микрочипов из-за усиливающейся конкуренции с Samsung. В настоящее время и TSMC, и Samsung всецело заняты внедрением методики FinFET, которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой. При этом TSMC будет производить продукцию по нормам 16 нанометров, а Samsung — 14 нанометров. Причём последняя уже получила крупного заказчика в лице компании Qualcomm, которая отказалась от услуг TSMC (поговаривают, что причиной стало выделение существенной части производственных мощностей TSMC под нужды Apple).

В конце текущего года на предприятиях TSMC стартует пробное производство чипов по 16-нанометровой методике FinFET. К концу 2014-го TSMC также планирует представить 16-нанометровый техпроцесс FinFET+, который обеспечит улучшенные показатели энергопотребления чипов.

Так или иначе, массовый выпуск продукции по технологии FinFET компании TSMC и Samsung освоят не ранее начала 2015-го. В то же время участники отрасли говорят, что TSMC не ожидала столь активного внедрения новой методики со стороны южнокорейской компании. Это и вынудило TSMC ускорить развитие технологии следующего поколения с нормами в 10 нанометров.

Ранее сообщалось, что TSMC намерена сформировать специальное подразделение со штатом в 300–400 человек для разработки и внедрения 10-нанометровой методики. Пробный выпуск чипов по такой технологии планируется начать в 2015 году.

http://3dnews.ru