Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Обладнання»Комп'ютерна техніка»Силицен: материал будущего для производства компьютерных чипов
    Комп'ютерна техніка

    Силицен: материал будущего для производства компьютерных чипов

    ВолодимирBy Володимир05.02.201512 коментарів2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Еще в 2010 году создание силицена — кремниевой структуры толщиной в один атом — казалось чисто теоретической идеей. Однако новый экзотический материал действительно создан, и ученые обнаружили, что электрические свойства силицена могут привести к раскрытию невиданного потенциала в увеличении мощности компьютерных чипов нового поколения.

    silicene

    По мнению компьютерного инженера Дежи Акинванде и его исследовательской команды из Университета Техаса в Остине, выпуск транзисторов на основе силицена способно произвести революцию в индустрии производства полупроводниковых материалов. Переход на такой уровень производства позволит создать гораздо более быстрые, компактные и более эффективные (потому что структура силицена позволяет электронам сталкиваться с меньшим сопротивлением на своем пути) компьютерные чипы. Однако важнейшее значение здесь, по мнению Акинванде, играет «возможность эффективного производства и изготовления силиценовых устройств при более низких температурах».

    mgНесмотря на свою недолгую историю, силицен заработал репутацию материала, с которым невероятно трудно работать. Как и в случае графена, состоящего из углерода, толщина силицена всего в один слой атомов кремния, наделяющая его необычными свойствами, делает новый материал весьма сложным для производства. Кроме того, в отличие от того же графена, силицен становится нестабильным при контакте с воздухом.

    Исследователи разработали метод изготовления силицена, в рамках которого основной компонет располагается между тонкими слоями серебра и оксида алюминия (обычно можно найти в определенных видах обычных и драгоценных камней) толщиной в один нанометр. Оба слоя создают защитную оболочку для пластины из диоксида кремния. После обработки серебряный слой аккуратно снимают, оставляя два электрических контакта и тонкую пластину силицена между ними. Таким образом получают силиценовый транзистор.

    Возможно, данный метод не подойдет для коммерческой практики, однако является весьма важным первым шагом на пути к возможности его использования. Акинванде отмечает, что постарается найти новые методы производства силицена и надеется, что к его работе присоединяться и другие заинтересованные стороны.

    Взято с hi-news.ru

    Читайте також

    Вчені навчилися ефективніше перетворювати зайве тепло на електрику

    05.02.2026

    Samsung припинила підтримку Galaxy S21, Galaxy S21 Plus та Galaxy S21 Ultra

    03.02.2026

    Acemagic представила неттоп Retro X3 у дизайні старих ПК

    03.02.2026

    Останні

    Таємничі кола в морі біля Шотландії зацікавили науковців

    06.02.2026

    У марсіанському метеориті виявлено сліди води віком 4,5 мільярда років

    06.02.2026

    Вчені, схоже, серйозно прорахували кінець існування Всесвіту

    06.02.2026

    Майнінгові компанії почали відключати обладнання через обвал біткоїна

    06.02.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version