Разработка стандарта DDR4 началась за несколько лет до коммерциализации DDR3. Прошло около девяти лет, прежде чем память нового типа сошла с мониторов проектировщиков в реальные работающие системы. Неудивительно, что ключевые игроки в индустрии памяти уже вовсю ведут работы над стандартом, который должен будет прийти на смену DDR4. Как считает Samsung Electronics, прототипы новой памяти появятся уже в 2018 году, но её внедрение начнётся лишь два года спустя, в 2020, причём последняя цифра является довольно оптимистичной.
Память эры пост-DDR4 будет использоваться во всех приложениях, от ноутбуков до серверов, а это означает, что новый стандарт должен стать по-настоящему масштабируемым в плане ёмкости, производительности, себестоимости и экономичности. Наиболее портативные устройства, вероятнее всего, продолжат использовать LPDDR4, а индустрия дискретной графики перейдёт на использование многослойной памяти HBM, как обеспечивающей наиболее высокую пропускную способность. Именно этот параметр является ключевым для создания новых поколений графических ускорителей, обеспечивающих высокую производительность в разрешениях от 4К.
На форуме IDF 2015 Samsung Electronics раскрыла предварительные планы и цели по развитию памяти, которая должна будет заменить собой DDR4. Ожидается повышение скорости до 6,4 Гбит/с на вывод (per pin) с возможностью дальнейшего роста этой характеристики. Это, при сохранении 64-битного интерфейса, позволит создать модули памяти с пропускной способностью до 51,2 Гбайт/с. Вырастут и ёмкости чипов, с привычных сегодня 4 и 8 Гбит до 32 Гбит, а значит, появятся массовые восьмичиповые модули памяти ёмкостью 32 Гбайт. От этого выиграют все, особенно поставщики серверных решений, потребность которых в больших объёмах оперативной памяти год от года лишь растёт.
Микросхемы эры пост-DDR4 будут производиться с использованием техпроцессов с нормами менее 10 нанометров. Сегодняшний стандарт DDR4 обладает массой достоинств и может предложить достаточно высокий уровень производительности, но есть и недостатки: в частности, на один канал контроллера памяти может приходиться не более двух небуферизированных модулей. Тактовые частоты ограничены значением 4,26 ГГц (официальная цифра JEDEC), ограничено и количество кристаллов в вертикальных сборках. Будущий стандарт памяти должен решить эти проблемы, что, впрочем, может потребовать серьёзной переработки архитектуры подсистем памяти в целом. Например, Samsung уже рассматривает возможность внедрения оптических интерфейсов и переход на упаковки типа 2,5D и 3D.
Пока о новом стандарте известно очень немного — мы не знаем ни интерфейса, ни основ архитектуры. Если они будут существенно переработаны, то даже сама аббревиатура DDR может кануть в Лету как устаревшая. Samsung планирует выпустить первые микросхемы нового стандарта где-то в течение 2018 года, но в итоге темпы внедрения новой памяти будут зависеть от многих параметров, включая масштабирование DDR4 и требования рынка. Если принять во внимание все сложности, которые непременно будут сопровождать внедрение нового типа памяти, то в коммерческих масштабах он может появиться на рынке на несколько лет позже 2020 года.
Взято с 3dnews.ru