Samsung та IBM змогли обійти закон Мура і здійснили прорив у проектуванні мікросхем

Під час конференції IEDM у Сан-Франциско компанії IBM та Samsung Electronics оголосили про створення технології вертикального розташування транзисторів під назвою VTFET. На відміну від існуючих технологій, які передбачають горизонтальне розміщення транзисторів, нова розробка має на увазі конструкцію чіпів, в якій транзистори розташовуються перпендикулярно поверхні кристала, а струм проходить вертикально. Компанії очікують, що VTFET подвоїть продуктивність мікросхем або зменшить енергоспоживання на 85% порівняно з FinFET.

Представники IBM та Samsung заявили, що смартфони та інші портативні пристрої, створені на базі VTFET-процесорів, зможуть працювати без заряджання цілий тиждень. Нова технологія знайде застосування і в майнінгу криптовалют — такі завдання стануть надзвичайно енергоефективними, що призведе до меншої дії на навколишнє середовище. Крім того, VTFET дозволить обійти закон Мура і теоретично подолати бар’єр в 1 нм.

IBM та Samsung не назвали термінів появи нових чіпів на основі технології VTFET. Тим часом над аналогічними мікросхемами працює компанія Intel, яка планує вивести на ринок процесори Intel 20A до кінця 2024 року.