Компанія Samsung анонсувала новий 17-нм техпроцес, призначений для виробництва продуктів, які зараз виробляються з використанням планарного 28-нм техпроцесу, але могли б отримати певні переваги при переході на 14-нм техпроцес FinFET. Все ж, велика частина напівпровідникової продукції зараз випускається по аж ніяк не самим передовими техпроцесами, і Samsung пропонує їм можливість поліпшення. При розробці напівпровідникових компонентів завжди враховуються проєктні норми. Тому не можна просто так почати виробляти компоненти, розроблені під 28-нм техпроцес на більш сучасних 14-нм лініях, тому, що на них застосовується абсолютно різний підхід до формування мікросхем, не кажучи вже про відмінності в конструкції самих странзісторів.

При виробництві враховуються два або три основних сегменти. Виробництво починається з етапу Front-End-Of-Line (FEOL) — формування активних частин кристала. Коли говорять про передові технології, мається на увазі саме FEOL, на якому реалізуються найбільш досконалі засоби створення кремнієвих елементів. Далі йде етап Back-End-Of-Line (BEOL) — формування меж з’єднання і допоміжних підключень. Іноді говорять про проміжні етапи Middle-End-of-Line (MEOL), на якому формуються крихітні металеві структури, які підключаються до ліній BEOL. При описі технологій, наприклад, 28 нм, передбачаються проєктні норми для обох етапів — FEOL і BEOL. Але в окремих випадках виробники об’єднують одні проєктні норми FEOL з іншими BEOL, щоб створити лінійку продуктів з деякими особливостями обох сегментів. Саме так був реалізована нова 17-нм технологія 17LPV (Low Power Value), анонсована в рамках заходу Samsung Foundry Forum.

Технологія 17LPV об’єднує 14-нм FEOL (і, відповідно, 14-нм FinFET-транзистори) з міжз’єднаннями 28-нм BEOL. Це означає, що за додаткову плату замовники можуть отримати переваги продуктивності та енергоспоживання технології FinFET без додаткових витрат на більш щільні BEOL. Як уточнила компанія Samsung, технологія 17LPV забезпечує зменшення площі компонента на 43%, збільшення продуктивності на 39% або підвищення енергоефективності на 49% в порівнянні з 28-нм аналогами. На практиці рішення на основі 17LPV зможуть використовуватися, наприклад, в сигнальних процесорах обробки зображення з камери, де не потрібна максимальна щільність елементів.

Читайте також -  Вчені придумали флешку зі щільністю запису 1,9 Тбайт на квадратний сантиметр

Крім того, Samsung буде використовувати технологію при виробництві дисплеїв — на компонентах високої напруги. Samsung також представила технологію 14LPU (Low Power Ultimate) схожого призначення і, ймовірно, архітектури, яка буде застосовуватися у вбудованих MRAM і мікроконтролерах. Компанія поки не стала уточнювати термінів впровадження нових рішень, однак представники Samsung Foundry назвали дані технології «зміною парадигми» для компанії, яка дозволить удосконалити спеціалізовані компоненти.

5 Comments

  1. … [Trackback]

    […] Read More on that Topic: portaltele.com.ua/news/technology/samsung-predstavyla-tehnologiyu-vyrobnytstva-chipiv-17lpv.html […]

  2. … [Trackback]

    […] Find More Information here on that Topic: portaltele.com.ua/news/technology/samsung-predstavyla-tehnologiyu-vyrobnytstva-chipiv-17lpv.html […]

  3. … [Trackback]

    […] There you can find 60512 additional Information on that Topic: portaltele.com.ua/news/technology/samsung-predstavyla-tehnologiyu-vyrobnytstva-chipiv-17lpv.html […]

  4. … [Trackback]

    […] Read More Info here to that Topic: portaltele.com.ua/news/technology/samsung-predstavyla-tehnologiyu-vyrobnytstva-chipiv-17lpv.html […]

  5. … [Trackback]

    […] Find More Information here to that Topic: portaltele.com.ua/news/technology/samsung-predstavyla-tehnologiyu-vyrobnytstva-chipiv-17lpv.html […]

Comments are closed.