Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Технології»Samsung представила технологію виробництва чіпів 17LPV
    Технології

    Samsung представила технологію виробництва чіпів 17LPV

    ВолодимирBy Володимир07.10.20215 коментарів2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Компанія Samsung анонсувала новий 17-нм техпроцес, призначений для виробництва продуктів, які зараз виробляються з використанням планарного 28-нм техпроцесу, але могли б отримати певні переваги при переході на 14-нм техпроцес FinFET. Все ж, велика частина напівпровідникової продукції зараз випускається по аж ніяк не самим передовими техпроцесами, і Samsung пропонує їм можливість поліпшення. При розробці напівпровідникових компонентів завжди враховуються проєктні норми. Тому не можна просто так почати виробляти компоненти, розроблені під 28-нм техпроцес на більш сучасних 14-нм лініях, тому, що на них застосовується абсолютно різний підхід до формування мікросхем, не кажучи вже про відмінності в конструкції самих странзісторів.

    При виробництві враховуються два або три основних сегменти. Виробництво починається з етапу Front-End-Of-Line (FEOL) – формування активних частин кристала. Коли говорять про передові технології, мається на увазі саме FEOL, на якому реалізуються найбільш досконалі засоби створення кремнієвих елементів. Далі йде етап Back-End-Of-Line (BEOL) – формування меж з’єднання і допоміжних підключень. Іноді говорять про проміжні етапи Middle-End-of-Line (MEOL), на якому формуються крихітні металеві структури, які підключаються до ліній BEOL. При описі технологій, наприклад, 28 нм, передбачаються проєктні норми для обох етапів – FEOL і BEOL. Але в окремих випадках виробники об’єднують одні проєктні норми FEOL з іншими BEOL, щоб створити лінійку продуктів з деякими особливостями обох сегментів. Саме так був реалізована нова 17-нм технологія 17LPV (Low Power Value), анонсована в рамках заходу Samsung Foundry Forum.

    Технологія 17LPV об’єднує 14-нм FEOL (і, відповідно, 14-нм FinFET-транзистори) з міжз’єднаннями 28-нм BEOL. Це означає, що за додаткову плату замовники можуть отримати переваги продуктивності та енергоспоживання технології FinFET без додаткових витрат на більш щільні BEOL. Як уточнила компанія Samsung, технологія 17LPV забезпечує зменшення площі компонента на 43%, збільшення продуктивності на 39% або підвищення енергоефективності на 49% в порівнянні з 28-нм аналогами. На практиці рішення на основі 17LPV зможуть використовуватися, наприклад, в сигнальних процесорах обробки зображення з камери, де не потрібна максимальна щільність елементів.

    Крім того, Samsung буде використовувати технологію при виробництві дисплеїв – на компонентах високої напруги. Samsung також представила технологію 14LPU (Low Power Ultimate) схожого призначення і, ймовірно, архітектури, яка буде застосовуватися у вбудованих MRAM і мікроконтролерах. Компанія поки не стала уточнювати термінів впровадження нових рішень, однак представники Samsung Foundry назвали дані технології «зміною парадигми» для компанії, яка дозволить удосконалити спеціалізовані компоненти.

    Читайте також

    Вчені навчилися ефективніше перетворювати зайве тепло на електрику

    05.02.2026

    Розроблено систему 3D-друку для будівництва під водою

    02.02.2026

    Фахівці створили бетон з пустельного піску та деревини

    31.01.2026

    Останні

    Apple б’є рекорди завдяки помаранчевому iPhone

    08.02.2026

    Шум кораблів може заважати слуху найрідкіснішої черепахи світу

    08.02.2026

    Знайдено гени, які захищають мозок від старіння після 80 років

    08.02.2026

    Рідкісний нейтринний сплеск проливає світло на початок Всесвіту

    08.02.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version