3 травня компанія Samsung Electronics офіційно анонсувала розробку флеш-пам’яті стандарту UFS 4.0 (Universal Flash Storage), яка призначена насамперед для продуктивних смартфонів із підтримкою стільникової мережі п’ятого покоління. Виробник заявив, що новітня пам’ять може похвалитися досить високою пропускною здатністю та позамежними швидкостями для обміну інформацією. Наприклад, фахівці з Samsung заявили, що пам’ять Samsung UFS 4.0 забезпечує пропускну здатність на рівні до 23,2 ГБ/сек на лінію – це вдвічі більше, ніж можливості пам’яті стандарту UFS 3.1.
Більше того, виробник заявив, що при створенні нової флеш-пам’яті для флагманських смартфонів використовувалася пам’ять Samsung V-NAND сьомого покоління, а також фірмовий контролер (про нього не надали інформації). Завдяки цьому вдалося реалізувати значні швидкості обміну інформацією – послідовне читання до 4200 МБ/сек та послідовний запис до 2800 МБ/сек. У Samsung заявили про дворазовий приріст швидкості читання і 1,6-кратний приріст швидкості запису в порівнянні з UFS 3.1 – це, безумовно, значний показник, адже навіть попереднє покоління пам’яті вже відмінно справлялося з майже будь-якими завданнями.
Але підвищення швидкості – не єдине покращення, над яким працювали інженери Samsung. Справа в тому, що нова пам’ять має ще й велику енергетичну ефективність, що буде вкрай корисно майбутнім флагманам. Виробник зазначив, що витрати енергії порівняно з UFS 3.1 скоротилися на 46% – це має помітно вплинути на тривалість автономної роботи смартфона. А ще обсяг модуля пам’яті досягає 1 ТБ – це, безумовно, не рекорд для сучасного ринку, але пам’яті нового формату буде достатньо, щоб задовольнити будь-які запити аудиторії.
Виробництво пам’яті UFS 4.0 має стартувати у третьому кварталі поточного року, коли пам’ять з’явиться у смартфонах – не повідомляють.