Группа ученых из университета Эксетера (University of Exeter), университета Глазго (University of Glasgow) и компании QinetiQ разработала технологию, которая позволяет видеть сквозь кремниевые положки и производить поиски крошечных дефектов, возникших в ходе производства кристаллов полупроводниковых чипов.
В качестве доказательства работоспособности технологии ученые произвели изучение кремниевого кристалла с подложкой, толщиной 115 микрометров, а дефекты были обнаружены за счет регистрации аномалий в движении электронов в полупроводниковом материале, которое возникает под воздействием терагерцового излучения.
Токопроводящий кремний является прозрачным для терагерцового излучения, излучения, находящегося между инфракрасном и микроволновым диапазонами электромагнитного спектра, с длинами волн от 150 нанометров до 1.5 миллиметров. Просветив, словно рентгеном, терагерцовыми лучами область кристалла чипа, размерами 2 на 2 миллиметра, ученые получили достаточно точное изображение структуры кристалла, на котором было видно даже мельчайшие дефекты.
Высокая разрешающая способность изображений, которая получается за счет использования специальной модуляции импульсов терагерцового излучения, позволяет различить дефекты, размерами до 8 микрометров. А дальнейшее совершенствование данной технологии позволит разработать методы неразрушающего промышленного контроля, которые можно применять на производствах, занимающихся изготовлением полупроводниковой продукции.
