Компания Micron Technology, по сообщениям из зарубежных источников, ведёт активные работы над третьим поколением перспективной технологии многослойной памяти, в терминах разработчика — Hybrid Memory Cube (HMC). Ожидается, что она будет представлена миру уже в 2016 году. Если у Micron получится нарастить пропускную способность вдвое по сравнению с теперешними 15 Гбит/с на вывод, то новое поколение HMC станет самой быстрой многослойной памятью в индустрии.
Технология Micron HMC использует систему специальных вертикальных соединений под названием TSV (Through-Silicon Via). Она служит для электрического соединения отдельных кристаллов DRAM между собой и с базовой логикой. В настоящее время компания предлагает своим клиентам «кубы» ёмкостью 2 и 4 Гбайт, в основе которых лежат кристаллы ёмкостью 4 Гбит. Пропускная способность целого чипа может достигать 160 Гбайт/с. Технология HMC конкурирует с HBM, но вместо сверхширокого интерфейса использует 16-битный последовательный канал, работающий на очень высокой частоте. К сожалению, деталей о третьем поколении Micron HMC крайне мало. Известно только то, что компания-разработчик намеревается повысить как плотность упаковки, так и производительность этого типа памяти
В настоящее время память HMC поддерживается рядом специализированных микропроцессоров, а кроме того, именно этот тип памяти будет использоваться в новом поколении сопроцессоров Intel Xeon Phi под кодовым именем «Knights Landing». HMC очень важна для Micron, поскольку, будучи единственным производителем такой памяти, компания сможет контролировать цены на неё. Но в случае ценовых разногласий многие разработчики систем, требующих высокой пропускной способности подсистемы памяти, могут обратиться к конкурирующей технологии — HBM, несмотря на ряд преимуществ, предлагаемых HMC. Похоже, на рынке высокоскоростной памяти в 2016 году будет весьма горячо.
Взято с 3dnews.ru