Компанії IBM та Samsung Electronics спільно оголосили про прорив у розробці напівпровідникових технологій, заснований на використанні нової вертикальної транзисторної архітектури, яка відкриває шлях до масштабування за межі нанорівня та має потенціал значного зниження енергоспоживання у порівнянні з транзисторами FinFET. Закон Мура, згідно з яким кількість транзисторів у мікросхемах приблизно подвоюється кожні два роки, швидко наближається до того, що вважається непереборною перешкодою.
Історично транзистори проєктувалися так, щоб лежати на поверхні напівпровідникового кристала, при цьому електричний струм тече в горизонтальному напрямку. Нові транзистори, що отримали назву Vertical Transport Field Effect Transistors, або VTFET, формуються перпендикулярно поверхні кристала, і струм тече вгору або вниз. Процес VTFET усуває багато перешкод на шляху подальшого підвищення продуктивності ступеня інтеграції. Він також стосується контактів транзисторів, дозволяючи отримати більший струм із меншими втратами енергії. У цілому нині нова конструкція націлена на дворазове поліпшення продуктивності чи скорочення енергоспоживання на 85% проти FinFET.
У пресрелізі, присвяченому прориву, зазначено, що глобальний дефіцит напівпровідникової продукції «підкреслив критично важливу роль інвестицій у дослідження та розробки мікросхем, а також важливість мікросхем у всьому: від обчислень до побутової техніки, пристроїв зв’язку, транспортних систем та критично важливих інфраструктур». Розробка була виконана спеціалістами комплексу Albany Nanotech Complex, який названий «провідною у світі екосистемою для досліджень у галузі напівпровідників, що створює потужний потік інновацій, допомагаючи задовольнити потреби виробництва та прискорити зростання світової індустрії мікросхем».