Hynix представила найшвидшу пам’ять DRAM у світі

Компанія SK Hynix заявила, що стала першою в галузі, хто успішно розробив пам’ять HBM3. Нагадаємо, масове виробництво HBM2E стартувало лише в липні минулого року, і на цей час на ринку практично немає продуктів з використанням такої пам’яті.

Повертаючись до HBM3, пропускна здатність на стек тут досягає 819 ГБ/с, що на 78% більше, ніж у HBM2E. Для прикладу, якщо CPU буде пов’язаний з чотирма такими стеками 4096-розрядної шини, то сумарна пропускна спроможність складе божевільні 3,276 ТБ/с. Hynix вже говорить, що стеки HBM3 будуть поставлятися у двох модифікаціях об’ємом 16 або 24 ГБ. У другому випадку це буде максимум для галузі.

Для стека місткістю 24 ГБ інженери SK Hynix обмежили висоту мікросхеми DRAM приблизно до 30 мікрометрів, що еквівалентно третини товщини паперу A4, перш ніж вертикально скласти 12 мікросхем з використанням технології наскрізних кремнієвих переходів. Коли пам’ять HBM3 з’явиться в серійних продуктах, виробник не повідомляє, але в цьому році її чекати не варто. Джерело