Ученые из Ливерпульского университета (Великобритания) создали новый материал, близкий к графену. Он может повысить производительность транзисторов, используемых в электронных приборах. Новый материал – основанный на триазине нитрид графитового углерода (или TGCN, сокр. англ. ‘triazine-based graphitic carbon nitride’) – был теоретически описан еще в 1996 году, а сейчас ученым удалось его создать.
Графен – это материал, обладающий высокими проводящими способностями при толщине всего в один атом. Новый материал также двухмерный, но он обладает электронной запрещенной зоной, что делает возможным использование его в транзисторах.
Углеродная основа
В настоящее время транзисторы изготавливаются из дорогого кремния, который вырабатывает тепло при работе в электронных приборах. Ученые искали материал, который будет иметь в основе углерод и электронную запрещенную зону, которая необходима для полупроводников.
Химик, профессор кафедры химии в Университете, Эндрю Купер (Andrew Cooper) говорит: «Это превосходный результат, потому что существует всего несколько упорядоченных двухмерных органических твердых веществ. Открытие нового члена «графенового семейства» – это знаменательное событие».
Ученые начали с недорогой молекулы дициандиамида, затем подготовили кристаллы из нитрида графитового углерода, двухмерного слоистого материала, одинакового с графеном, но содержащего азот.
TGCN
Они соединили эти ингредиенты в кварцевой трубке и нагревали их в течение 62 часов до температуры 600°C. В результате получилась жидкость, содержащая хлопья TGCN, которые можно отделить путем фильтрации или соскабливания их с трубки.
Сейчас материал находится на начальной ступени разработки, но профессор Купер надеется, что следующей стадией станет изучение его свойств.
Профессор говорит: « Создание и анализ данного материала – это только первый шаг. Теперь у нас много работы по увеличению его производства и проверке на электронных приборах».