Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads LinkedIn Telegram RSS
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram Threads LinkedIn RSS Bluesky
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Інтернет»Samsung начала массовое производство 48-слойной памяти 3D V-NAND
    Інтернет

    Samsung начала массовое производство 48-слойной памяти 3D V-NAND

    ВолодимирBy Володимир13.08.20153 коментарі2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Компания Samsung Electronics объявила о начале коммерческого производства первых в мире многослойных чипов флеш-памяти TLC NAND ёмкостью 256 Гбит. Новые, более ёмкие микросхемы 3D V-NAND помогут компании сделать твердотельные накопители и прочие устройства, использующие флеш-память, более доступными для покупателя, а значит, более популярными, что, несомненно, должно положительно отразиться на рыночной доле Samsung в этом секторе.

    Новые чипы ёмкостью 256 Гбит базируются на уже проверенной компанией архитектуре 3D Charge Trap (CTF), в которой ячейки объединены вертикально и формируют 48-слойный массив, сквозь который проходит 1,8 миллиарда соединительных каналов. Отверстия для них формируются специальным методом сухого травления (etching). Каждая микросхема состоит из более чем 85,3 миллиарда ячеек и способна хранить 32 Гбайт данных.

    Согласно информации, опубликованной разработчиком, новые 48-слойные микросхемы TLC потребляют на 30 % меньше энергии, нежели их предшественники, имеющие вдвое меньший объём — 128 Гбит. Они также на 40 % меньше, что может говорить о более тонком техпроцессе, но точных цифр в нанометрах Samsung не раскрывает. Естественно, менее крупный, но при этом более ёмкий кристалл означает меньшую себестоимость. Компания надеется, что третье поколение памяти 3D V-NAND позволит сделать доступными для обычных покупателей твердотельные накопители ёмкостью 1 или даже 2 Тбайт. Кроме того, такая память поможет Samsung укрепить свои позиции на корпоративном рынке с новыми, более ёмкими решениями PCIe NVMe и SAS.

    Накопитель PM1633a с интерфейсом SAS 12Gbps, предназначенный для крупных ЦОД, уже использует новые микросхемы 3D V-NAND и обладает ёмкостью почти 16 Тбайт, а точнее, 15,36 Тбайт. Плотность упаковки данных на этом устройстве, выполненном в форм-факторе 2,5″, выше, нежели на доступных сегодня традиционных механических жёстких дисках. Более того, в специальном стоечном корпусе высотой 2U можно разместить 48 таких накопителей. Суммарная ёмкость в этом случае составит 768 Тбайт — то, что нужно крупным ЦОД/ЦХД. По аналогии с JBOD (Just a Bunch of Disks) Samsung называет это устройство JBOF — Just a Bunch of Flash, поскольку собственного процессора оно не имеет. Обработка двух миллионов IOPS — именно такой потенциал имеет новый флеш-массив — целиком возложена на внешнюю систему.

    Взято с 3dnews.ru

    Читайте також

    Apple готує другу презентацію в жовтні: які новинки покажуть

    15.10.2026

    Apple пояснила, чи з’явиться ШІ Siri на старих HomePod

    15.10.2026

    Apple підготувала HomeView ще у 2024 році

    15.10.2026

    Останні

    Porsche готує Mission S із бензиновим двигуном

    15.10.2026

    Представлено нову систему проти безпілотників, яка перехоплює понад 97% цілей

    15.10.2026

    «Пекельна курка» могла харчуватися фруктами: череп динозавра розкрив несподівану деталь

    15.10.2026

    Біль у спині може активувати неочікувану мережу мозку – нове дослідження

    15.10.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    • Про нас
    • Редакційна політика
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.