Samsung начала массовое производство 48-слойной памяти 3D V-NAND

Компания Samsung Electronics объявила о начале коммерческого производства первых в мире многослойных чипов флеш-памяти TLC NAND ёмкостью 256 Гбит. Новые, более ёмкие микросхемы 3D V-NAND помогут компании сделать твердотельные накопители и прочие устройства, использующие флеш-память, более доступными для покупателя, а значит, более популярными, что, несомненно, должно положительно отразиться на рыночной доле Samsung в этом секторе.

Новые чипы ёмкостью 256 Гбит базируются на уже проверенной компанией архитектуре 3D Charge Trap (CTF), в которой ячейки объединены вертикально и формируют 48-слойный массив, сквозь который проходит 1,8 миллиарда соединительных каналов. Отверстия для них формируются специальным методом сухого травления (etching). Каждая микросхема состоит из более чем 85,3 миллиарда ячеек и способна хранить 32 Гбайт данных.

Согласно информации, опубликованной разработчиком, новые 48-слойные микросхемы TLC потребляют на 30 % меньше энергии, нежели их предшественники, имеющие вдвое меньший объём — 128 Гбит. Они также на 40 % меньше, что может говорить о более тонком техпроцессе, но точных цифр в нанометрах Samsung не раскрывает. Естественно, менее крупный, но при этом более ёмкий кристалл означает меньшую себестоимость. Компания надеется, что третье поколение памяти 3D V-NAND позволит сделать доступными для обычных покупателей твердотельные накопители ёмкостью 1 или даже 2 Тбайт. Кроме того, такая память поможет Samsung укрепить свои позиции на корпоративном рынке с новыми, более ёмкими решениями PCIe NVMe и SAS.

Накопитель PM1633a с интерфейсом SAS 12Gbps, предназначенный для крупных ЦОД, уже использует новые микросхемы 3D V-NAND и обладает ёмкостью почти 16 Тбайт, а точнее, 15,36 Тбайт. Плотность упаковки данных на этом устройстве, выполненном в форм-факторе 2,5″, выше, нежели на доступных сегодня традиционных механических жёстких дисках. Более того, в специальном стоечном корпусе высотой 2U можно разместить 48 таких накопителей. Суммарная ёмкость в этом случае составит 768 Тбайт — то, что нужно крупным ЦОД/ЦХД. По аналогии с JBOD (Just a Bunch of Disks) Samsung называет это устройство JBOF — Just a Bunch of Flash, поскольку собственного процессора оно не имеет. Обработка двух миллионов IOPS — именно такой потенциал имеет новый флеш-массив — целиком возложена на внешнюю систему.

Взято с 3dnews.ru