Компания TriQuint Semiconductor, специализирующаяся на разработке и производстве радиочастотных микрочипов (RF chip, Radio-frequency chip), сообщила, что была выбрана Управлением перспективных исследований и разработок министерства обороны США (DARPA, U.S. Defense Advanced Research Projects Agency) для участия в программе по разработке микропреобразователей мощности (МРС, Microscale Power Conversion). Сумма по контракту составит 12,3 миллионов долларов. По словам представителей TriQuint, новый модулятор компании, базирующийся на технологии транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), позволит создавать высокоэффективные и очень компактные преобразователи радиочастот (RF transmitters).
TriQuint станет генеральным подрядчиком программы MPC Technical Area I, в рамках которой будут разрабатываться высокоскоростные преобразователи (модуляторы) DC/DC. Их интеграция с самыми современными компонентами усилителей радиочастот позволит создавать высокоэффективные и компактные устройства, ориентированные на применение в радарах и коммуникационных системах. Компания TriQuint занимается GaN-транзисторами с 1999 года и считается одним из пионеров в этой области. На данный момент компания участвует в ряде проектов DARPA, сотрудничая с такими организациями, как Rockwell Collins и Northrop Grumman, а также с Университетом штата Колорадо. По словам представителей компании, разрабатываемые для DARPA преобразователи, работающие в режиме обогащения, будут иметь запирающее напряжение в 200 вольт и скорость нарастания выходного напряжения в 500 вольт за наносекунду. Предполагается, что КПД усилителей радиочастоты, созданных на базе таких преобразователей и работающих в диапазоне 8-12 гигагерц, будет достигать 75%.