Samsung Electronics розробила прототип першої в світі 900-шарової 3D NAND пам’яті. Для цього інженери компанії об’єднали два 450-шарові кристали за допомогою технології CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). За даними корейських ЗМІ, на які посилається ITHome, працездатність осередків пам’яті вже підтверджена на зразках.
Технологія передбачає “склеювання” двох окремих “хмарочосів” NAND в єдину 900-шарову структуру, що пред’являє вкрай високі вимоги до точності суміщення та надійності з’єднання.
У ході розробки Samsung вирішила низку технологічних проблем: усунула деформацію пластин, мінімізувала похибки суміщення шарів завдяки новій технології корекції накладання, покращила архітектуру bit line (BL) та word line (WL), що дозволило знизити енергоспоживання та оптимізувати розміри кристала. Створення 900 шарової NAND відкриває шлях до подальшого збільшення щільності зберігання даних.