Компанія Samsung розробляє транзистори GAA (Gate-all-Around) нового покоління, які будуть застосовуватись у чіпах, що виробляються за її 2-нм техпроцесом. Компанія планує запровадити технологію наступного року. Про це повідомляє південнокорейське видання Business Korea, яке посилається на свої джерела в галузі.
З посиланням на свої джерела видання також зазначає, що Samsung збирається подати доповідь про третє покоління технології GAA для свого 2-нм техпроцесу (SF2) у рамках конференції з питань напівпровідникових технологій VLSI Symposium 2024, яка проходитиме на Гаваях з 16 по 20 червня.
Технологія GAA, яку першою у світі поставила на комерційні рейки саме компанія Samsung, це технологія виробництва транзисторів із затвором, що повністю оточує канал. Оскільки з кожним переходом на новий техпроцес транзистори у складі напівпровідника стають менше, контролювати рух струму в них стає все складніше. Однак GAA пропонує нову архітектуру транзистора, яка дозволяє підвищити його енергоефективність.
На цей час Samsung є єдиною компанією у світі, яка може масово застосовувати технологію GAA-транзисторів для виробництва чипів. Вона розпочинати дослідження GAA ще на початку 2000-х років і вперше запровадила її для свого 3-нм техпроцесу у 2022 році. Однак через світову економічну нестабільність, високу вартість виробництва, а також обмежену клієнтську базу в таких секторах, як мобільні пристрої, попит на 3-нм техпроцес Samsung виявився несуттєвим. Як результат, лідерство у виробництві 3-нм чіпів перейшло до тайванського контрактного виробника чіпів TSMC, який використовує більш традиційні (і дешеві) методи виробництва транзисторів.
У відповідь Samsung готує друге покоління транзисторів GAA для 3-нм техпроцесу, яке вона має намір представити протягом цього року. А наступного року компанія представить третє покоління GAA для 2-нм техпроцесу, щоб закріпити лідерство у цьому напрямі. TSMC і Intel теж планують зрештою перейти на використання технології GAA з переходом на 2-нм техпроцес виробництва, але трапиться це пізніше, ніж у Samsung. Таким чином, у південнокорейської компанії буде певна перевага перед конкурентами. Принаймні теоретично.
Офіційна назва технології GAA від Samsung – MBCFET. Перше покоління GAA для техпроцесу 3 нм в порівнянні з попереднім поколінням FinFET-транзисторів Samsung забезпечило 23-відсоткове збільшення у продуктивності, 16-відсоткове збільшення щільності і 45-відсоткове підвищення енергоефективності.
Друге покоління GAA для 3 нм техпроцесу, як очікується, забезпечить 30-відсоткове збільшення у продуктивності, 35-відсоткове підвищення щільності, а також 50-відсоткове зниження в енергоспоживання. Що стосується третього покоління MBCFET, то для нього також очікується значне збільшення у продуктивності з більш ніж 50-відсотковим підвищенням енергоефективності порівняно з попереднім поколінням технології.