Samsung приступила до масового друку 16-Гбіт чіпів LPDDR5

Samsung оголосила про початок масового виробництва на своїй другій виробничої лінії в корейському Пхентхек перших в галузі мобільних 16-Гбіт чіпів DRAM LPDDR5. Для друку використовується техпроцес Samsung 10-нм класу (1z) третього покоління в крайньому ультрафіолетовому діапазоні (EUV). Компанія обіцяє найвищу продуктивність і найбільшу ємність на мобільному ринку — це прокладе шлях для 5G, штучного інтелекту та інших можливостей в смартфонах наступного покоління.

Компанія відзначила, що її друга виробнича лінія в Пхентхек займає площу в 128 900 квадратних метрів — це приблизно 16 футбольних полів і на сьогоднішній день рекорд в напівпровідникової індустрії. Ця фабрика буде служити ключовим виробничим центром для передових напівпровідникових технологій в галузі, пропонуючи кращі технології DRAM і V-NAND.

Нові чіпи 16-Гбіт пам’яті LPDDR5 Samsung є першими в світі кристалами DRAM, виробленими серійно з застосуванням літографії в крайньому ультрафіолетовому діапазоні. При швидкості в 6400 Мбіт/с ці чіпи приблизно на 16% швидше 12-Гбіт LPDDR5 (5500 Мбіт/с), які використовуються в більшості сучасних флагманських смартфонів. У 16-Гбайт упаковці така пам’ять LPDDR5 може передавати близько 51,2 Гбайт даних (10 фільмів у форматі Full HD розміром 5 Гбайт) за одну секунду.

Завдяки використанню техпроцесу 1z, 16-Гбайт упаковка LPDDR5 стала на 30% тонше, ніж у попередника, що дозволяє вмістити більше функціональних блоків в тонкі смартфони 5G і складні пристрої майбутнього. Модулі LPDDR5 об’ємом 16 Гбайт використовують всього 8 чіпів, тоді як попереднику на базі техпроцесу 1y потрібно 12 чіпів (вісім чіпів по 12 Гбіт і чотири чіпи по 8 Гбіт) для забезпечення тієї ж ємності.

Samsung планує і далі в 2021 році зміцнювати присутність на ринку флагманських смартфонів, а також розширювати свою частку ринку в області LPDDR5 для автомобільної електроніки, запропонувавши рішення з розширеним температурним діапазоном і відповідністю строгим стандартам безпеки і надійності в екстремальних умовах.