Компанія Samsung представила нову технологію пам’яті під назвою Selector-Only Memory (SOM), яка поєднує в собі енергонезалежність та високу швидкість читання/запису, аналогічну до DRAM, а також можливість «нарощування». Для прискорення розробки компанії SOM компанія використовувала передові методи комп’ютерного моделювання.
SOM базується на архітектурах пам’яті з перехресними точками, подібними до пам’яті зі зміною фази та оперативної пам’яті RRAM, де використовуються стековані масиви електродів. Зазвичай ці архітектури вимагають транзистора-селектора або діода для адресації певних осередків пам’яті.
Компанія реалізувала новий підхід, досліджуючи матеріали на основі халькогенідів, що виконують функції як селектора, так і елемента пам’яті, представивши нову форму енергонезалежної пам’яті. Дослідники Samsung представлять свої висновки на Міжнародних зборах електронних приладів (IEDM) цього року, які пройдуть з 7 по 11 грудня у Сан-Франциско.
Південнокорейський технологічний гігант провів скринінг широкого спектра халькогенідних матеріалів для додатків SOM та вивчив понад 4000 комбінацій матеріалів, звузивши їх до 18 за допомогою комп’ютерного моделювання на основі Ab-initio. Основна увага приділялася покращенню дрейфу порогової напруги та оптимізації вікна пам’яті – двом ключовим факторам продуктивності SOM.
Традиційні дослідження SOM обмежувалися використанням халькогенідних систем Ge, As і Se, виявлених у порогових перемикачах овонов (OTS). Однак Samsung стверджує, що її комплексний процес моделювання дозволив провести ширший пошук з огляду на характеристики зв’язку, термічну стабільність та надійність пристрою для підвищення продуктивності та ефективності.
У подальшій презентації IEDM дослідники IMEC обговорять потенційні атомні механізми, такі як локальна перебудова атомних зв’язків та атомна сегрегація, які могли б пояснити, як працює селекторний компонент SOM, додатково впливаючи на порогову напругу — важливий фактор продуктивності пам’яті.