Samsung отримує перевагу над TSMC і оголосила про масове виробництво 3-нм чіпів GAA, що забезпечує низку переваг для різних програм і продуктів. За словами корейського виробника, технологія GAA виходить за рамки FinFET і планує розширити виробництво SoC для смартфонів. Доктор Сійонг Чой, президент і керівник ливарного бізнесу Samsung Electronics, з гордістю оголосив про нову архітектуру з наступною заявою.
«Samsung стрімко розвивається, оскільки ми продовжуємо демонструвати лідерство у застосуванні технологій наступного покоління у виробництві, таких як перший у ливарній промисловості High-K Metal Gate, FinFET, а також EUV. Ми прагнемо зберегти це лідерство з першим у світі 3-нм процесом з MBCFET™. Ми будемо продовжувати активні інновації в розробці конкурентоспроможних технологій і будувати процеси, які допоможуть прискорити досягнення зрілості технологій».
Samsung використав інший метод для масового виробництва 3-нм чіпів GAA, який передбачає використання запатентованої технології та нанолистів із більш широкими каналами. Цей підхід забезпечує вищу продуктивність і покращену енергоефективність, ніж технології GAA з використанням нанодротів з більш вузькими каналами. GAA оптимізувала гнучкість дизайну, дозволяючи Samsung отримати переваги PPA (потужність, продуктивність та площа).
Порівнюючи його з 5-нм техпроцесом, Samsung стверджує, що його 3-нм технологія GAA може знизити енергоспоживання до 45 відсотків, підвищити продуктивність на 23 відсотки та зменшити площу на 16 відсотків. Цікаво, що Samsung не згадує про відмінності в покращеннях у порівнянні з 4-нм техпроцесом, хоча в прес-релізі сказано, що ведеться робота над 3-нм виробничим процесом GAA другого покоління.
Цей процес другого покоління дозволить скоротити енергоспоживання до 50 відсотків, збільшити продуктивність на 30 відсотків і зменшити площу на 35 відсотків. Samsung не прокоментувала відсоток виходу 3-нм GAA, але, згідно з тим, що ми повідомляли раніше, ситуація не покращилася, а натомість різко знизилася. Судячи з усього, продуктивність коливається від 10 до 20 відсотків, тоді як 4-нанометровий процесор Samsung становить 35 відсотків. Джерело