Минулого місяця Samsung заявила , що почала виробництво чіпів на основі 3-нанометрового (нм) виробничого вузла з використанням транзисторної архітектури Gate-All-Around (GAA). Сьогодні на корейському заході компанія оголосила, що почала постачання першого 3-нм чіпа, виготовленого за технологією Gate All Around, на лінійці V1 (лише EUV) на кампусі Хвасон.
Вірячи в те, що «ми будемо рухатися вперед з інноваційними технологіями, щоб стати найкращими у світі», відділ ливарного виробництва Samsung Electronics прагне підвищити конкурентоспроможність свого бізнесу шляхом масового виробництва процесу 3-nano GAA та технології превентивного ливарного виробництва. .
За даними Samsung, на заході були присутні близько 100 осіб, у тому числі генеральний директор Samsung Electronics Ке Кьон Хеон, міністр торгівлі, промисловості та енергетики Чанг’ян Лі, постачальники, фабричні підприємства, а також керівники та працівники, які брали участь у дослідженнях і розробках за 3-нм GAA та масовому виробництві.
За словами Samsung, кампус Pyeongtaek зрештою отримає додавання 3-nano чіпів GAA. Очікується, що головний конкурент Samsung у напівпровідниковому бізнесі, TSMC, почне виробництво 3-нм мікросхем приблизно в 4 кварталі 2022 року.
Судячи зі звіту за минулий рік, AMD та Qualcomm можуть бути одними з перших клієнтів нового передового процесу Samsung. У звіті також згадується, що Nvidia також може бути одним з перших брендів, які приймуть 3-нм вузол від Samsung, однак нещодавні проблеми компанії з надмірним бронюванням поставили під сумнів цю можливість. Джерело