Samsung планирует внедрение 10-нанометрового техпроцесса FinFET

Южнокорейский гигант Samsung намерен освоить выпуск мобильных процессоров по технологии с нормами 10 нанометров. Об этом сообщают сетевые источники, ссылаясь на заявления президента подразделения полупроводниковой продукции Samsung Кима Ки-нама (Kim Ki-nam).

Напомним, что недавно компания Samsung организовала серийное производство первых в отрасли мобильных чипов с технологией 14nm FinFET. Речь идёт об изделии Exynos 7 Octa с восемью вычислительными ядрами, которое, по слухам, ляжет в основу флагманских смартфонов Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge. Samsung подчёркивает, что по сравнению с 20-нанометровым технологическим процессом методика 14nm FinFET позволяет добиться 20-процентного увеличения быстродействия и 35-процентного снижения потребления энергии.

Технология 10nm FinFET, как ожидается, будет внедрена в 2016 или 2017 году. Переход на данную методику позволит ещё больше повысить энергетическую эффективность, а следовательно, продлить время автономной работы гаджетов.

10-нанометровый техпроцесс планируется применять в том числе при изготовлении чипов для устройств, подпадающих под концепцию «Интернет вещей».

Нужно отметить, что внедрение 10-нанометровой технологии также планирует корпорация Intel. Выпуск таких изделий будет организован ориентировочно в начале 2017 года. По 10-нанометровой технологии, в частности, будут изготавливаться процессоры с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками Skylake (выйдут в 2015-м). Ну а в 2018 году Intel рассчитывает приступить к выпуску продукции по 7-нанометровой методике.

http://3dnews.ru