Samsung анонсує карту пам’яті SD Express microSD на 256 ГБ зі швидкістю 800 МБ/с

Samsung розпочала розповсюдження зразків своєї карти пам’яті SD Express microSD на 256 ГБ , яка може похвалитися вражаючою швидкістю послідовного читання до 800 МБ/с.

Samsung також розпочинає масове виробництво карт пам’яті microSD UHS-1 об’ємом 1 ТБ

Хангу Сон, глобальний віце-президент Samsung Electronics Brand Storage Division, підкреслив важливість цих досягнень, заявивши, що нові карти microSD забезпечують продуктивність на рівні SSD і велику ємність у неймовірно компактному форм-факторі. Цей стрибок у технології дозволяє користувачам використовувати потужність передових програм як зараз, так і в майбутньому.

Випуск карти пам’яті Samsung SD Express microSD знаменує значний крок в еволюції карт пам’яті. У той час як традиційні карти microSD зазвичай використовують інтерфейс UHS-1 з максимальною швидкістю читання 104 МБ/с, серія SD Express піднімає планку, досягаючи швидкості до 985 МБ/с. Це експоненційне збільшення швидкості передачі даних обіцяє трансформаційний досвід обчислення на різних платформах.

Завдяки протоколу PCIe Gen3x1 SD Express забезпечує неймовірну швидкість, яка конкурує навіть із SSD-накопичувачами SATA, маючи швидкість читання 800 МБ/с. Це в 1,4 раза більше, ніж у традиційних твердотільних накопичувачів, і більш ніж у чотири рази швидше, ніж у звичайних карт пам’яті з інтерфейсом UHS-1. Технологія Samsung Dynamic Thermal Guard забезпечує оптимальну продуктивність і надійність, регулюючи температуру карти пам’яті навіть під час тривалого використання.

На додаток до своїх високопродуктивних можливостей, карта пам’яті Samsung UHS-1 microSD на 1 ТБ розширює межі можливостей зберігання. Використовуючи вісім шарів V-NAND 8-го покоління 1 Тб Samsung, ця карта microSD забезпечує неперевершений потенціал зберігання. Крім того, він проходить ретельні випробування для забезпечення довговічності, маючи шість захисних функцій, включаючи водонепроникність, стійкість до екстремальних температур, стійкість до падінь, зносостійкість, захист від рентгенівського випромінювання та захист від магнітного поля.