Samsung Galaxy S21 отримає найшвидшу пам’ять

Раніше Samsung оголосила про плани масового виробництва 16-гігабітних чіпів оперативної пам’яті LPDDR5 з використанням 10-нанометрового технологічного процесу третього покоління класу 1z. Компанія підтвердила, що вона відкрила нову виробничу лінію на своєму підприємстві в Пхентхек в Кореї, щоб почати масове виробництво нової оперативної пам’яті. За словами виконавчого віце-президента компанії по продуктам і технологіям DRAM Джунг Бе Лі (Jung-bae Lee), дана пам’ять відкриє нові двері для розробників і виробників смартфонів.

Нова пам’ять, за словами Samsung, буде пропонувати найвищу швидкість і максимальну в історії ємність. Samsung заявляє, що нова пам’ять LPDDR5 дозволить передавати дані зі швидкістю 6400 Мбіт/с, що на 16% швидше, ніж паяти LPDDR5, встановлена ​​в Galaxy Note20.

Корпус нової пам’яті буде на 30% тонше, а це означає, що вона займає менше місця в смартфона. Очікується, що така пам’ять дебютує в Samsung Galaxy S21 (S30), а також з’явиться у флагманських смартфонах інших виробників. Samsung вже підтвердила, що не обмежуватиметься використанням даної пам’яті тільки в своїх телефонах. Джерело