Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Обладнання»Електроживлення»Sharp досягла рекордного ККД для кремнієвих сонячних панелей
    Електроживлення

    Sharp досягла рекордного ККД для кремнієвих сонячних панелей

    ВолодимирBy Володимир30.10.2023Коментарів немає2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Компанія Sharp поділилася новиною про створення тандемного сонячного елементу із напівпровідникових матеріалів, ККД якого досягло світового рекорду – 33,66%. Що важливо, цей показник встановлений для сонячної панелі практичної цінності площею 775 см2. У планах Sharp встановлювати такі панелі на електромобілі та інші мобільні платформи, щоб сонячне світло збільшувало пробіг.

    Щоб сонячний осередок працював ефективніше, його створюють багатошаровий, щоб кожен шар поглинав світло у своєму діапазоні. Такі осередки називають тандемними, і в них кремній чергується з перовскітами або з напівпровідниками з III або V груп таблиці Менделєєва. 

    Компанія Sharp не використовує перовскіти, хоча вони показали себе гранично перспективними для сонячних елементів. Дослідники Sharp займаються напівпровідниками й досягли в цьому вражаючих успіхів.

    Тандем/кремнієвий модуль сонячної батареї досяг ефективності перетворення 33,66%

    Минулого року триперехідний тандемний елемент Sharp, за свідченням AIST (Національного інституту передової промислової науки та технології Японії), встановив світовий рекорд ефективності, показавши ККД на рівні 32,65%. Новий елемент втратив один переход і став формально двоперехідним, що збільшило приплив світла до нижнього кремнієвого шару і дозволило збільшити ККД до нового рекордного значення в 33,66 %.

    Структура модуля сонячних батарей

    Хитрість полягає в тому, що верхній шар представлений складовим та фактично двоперехідним елементом з індію/галію/фосфору та арсеніду галію. Простіше кажучи, Sharp замінила два переходи із напівпровідників одним складовим. 

    Внаслідок цього осередки стали на третину тоншими, що теж важливо для масового виробництва — вони будуть виразно дешевшими за осередки, що містять стек із трьох переходів.

    Читайте також

    Малі ядерні реактори проходять етап оцінки безпеки

    23.01.2026

    Anker випустила систему SOLIX E10 для резервного живлення сучасного будинку

    13.01.2026

    Представлена ​​OSCAL PowerMax 1800 SE: електростанція з потужністю 1800 Вт

    10.01.2026

    Останні

    Сигаретні недопалки можуть стати новим джерелом чистої енергії

    24.01.2026

    Глобальне потепління може пришвидшувати старіння людини на клітинному рівні

    24.01.2026

    Представлено новий Kia Sportage Platinum Edition

    24.01.2026

    Тропічні океани колись були головними «фабриками» кисню на Землі

    23.01.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version