Samsung пустила в серию 20-нм мобильные DRAM-чипы

При выборе современного смартфона пользователи редко обращают особое внимание на подсистему оперативной памяти — обычно дело заканчивается лишь информацией об объеме “оперативки”. Но это отнюдь не означает, что разработчики интегральных микросхем не занимаются развитием и усовершенствованием мобильной DRAM. Например, компания Samsung только что объявила о старте серийного выпуска новых чипов типа LPDDR3, изготовленных по 20-нм технологическому процессу и имеющих емкость 4 Гбит.

По замыслу разработчиков, микросхемы LPDDR3 должны заменить на рынке микросхемы типа LPDDR2, по крайней мере, в секторе “топовых” смартфонов и планшетных компьютеров. Для этого новички обладают целым рядом преимуществ: меньшими размерами, большей эффективностью, более высокой производительностью (пропускная способность 2133 Мбит/с против 800 Мбит/с у LPDDR2), и — что очень важно для рынка портативной электроники, — сниженным на 20% энергопотреблением. Отметим, что объединив четыре чипа LPDDR3, OEM-производители оперативной памяти получат в результате модуль объемом 2 Гбайт, “упакованный” в весьма и весьма компактный корпус толщиной всего 0,8 мм.

В ближайшем будущем компания Samsung планирует сделать ставку именно на 20-нм интегральные микросхемы оперативной памяти, постоянно увеличивая объемы выпуска изделий нового поколения. Это позволит ей успешно бороться с конкурентами на рынке мобильных DRAM-микросхем, который, по данным аналитического агентства Gartner, будет из года в год только наращивать объемы. Прогноз на ближайшее время выглядит следующим образом: по итогам 2013 года ожидается увеличение объемов рынка оперативной памяти на 13%, до отметки в $29,6 млрд. Из них около 35% будет приходиться именно на сегмент мобильной DRAM, или около $10 млрд.

http://3dnews.ru