Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с архитектурой многоуровневых ячеек (MLC), использующих высокопроизводительный интерфейс Toggle DDR 2.0. Новые чипы памяти NAND имеют емкость 64 гигабит (Гб) и выпускаются по передовым технологическим нормам 20-нанометрового класса. Микросхемы предназначены для высокопроизводительных устройств, таких как смартфоны, планшетные компьютеры и твердотельные диски (SSD). Особенность 64-гигабитного чипа с архитектурой ячеек MLC — интерфейс Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0, который обеспечивает скорость передачи данных до 400 мегабит в секунду (Мб/с). Это в 10 раз больше в сравнении с интерфейсом Single Data Rate (SDR), которым сегодня снабжаются микросхемы флеш-памяти NAND для массового рынка. Кроме того, этот интерфейс передает данные в три раза быстрее, чем его версия Toggle DDR 1.0 (133 Мб/с), которым Samsung впервые оснастил чипы флеш-памяти емкостью 32 Гб, представленные в 2009 году.
«Выпустив чипы NAND емкостью 64 Гб с интерфейсом Toggle DDR 2.0 по технологическим нормам 20-нанометрового класса, Samsung подтвердил свое лидерство на рынке флеш-памяти. Эти микросхемы будут использоваться для производства смартфонов четвертого поколения и твердотельных дисков с интерфейсом SATA 6 Гб/с, – отметил Ван Хун Хонг, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу твердотельной памяти Samsung Electronics. – Мы продолжим разработку самых передовых в мире решений NAND с интерфейсом Toggle DDR, отличающихся высокой производительностью и емкостью. Мы считаем выпуск подобных решений важнейшим фактором в создании передовых мобильных телефонов».
Высокоскоростной интерфейс Toggle DDR 2.0 400 Мб/с разработан в ответ на пожелания производителей мобильных телефонов и потребительской электроники, которые приступают к использованию в своих продуктах таких высокоскоростных технологий подключения как USB 3.0 и SATA 6.0 Гб/с.
Микросхема памяти NAND емкостью 64 Гб с архитектурой ячеек MLC имеет на 50 % более высокую производительность, чем чип 32-гигабитный чип MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR 1.0, выпущенный по нормам 20-нанометрового класса (эту микросхему Samsung начал производить в апреле). Кроме того, она вдвое производительнее, чем 32-гигабитный чип MLC NAND, производимый по технологии 30-нанометрового класса.
По данным аналитической компании IHS iSuppli, мировой рынок флеш-памяти NAND продолжает стабильно расти. Если поставки этих чипов в 2010 году составили 11 млрд микросхем в эквиваленте 1 ГБ, то к 2015 году они возрастут до 94 млрд в эквиваленте 1 ГБ, т.е. среднегодовой рост достигнет 54 %. В 2012 году на чипы флеш-памяти NAND емкостью 64 Гб и выше придется 70 % от общих поставок флеш-памяти этого типа, тогда как в 2010 году их доля в поставках составляла всего 3 %.