Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва найшвидших в галузі мікросхем флеш-пам’яті з інтерфейсом eUFS 3.1. Ця пам’ять націлена як на флагманські смартфони, так і на тонкі ноутбуки. Новинка забезпечить в три рази більшу швидкість запису, що стане знахідкою для любителів фотографій з великою роздільною здатністю і цінителів відео з роздільною здатністю 8K.
Швидкість запису на чіпи Samsung з шиною eUFS 3.1 ємністю 512 Гбайт пробиває психологічний бар’єр в 1 Гбайт/с і досягає 1,2 Гбайт/с в режимі усталеної записи. Аналогічна продукція компаній WDC і Toshiba здатна показати швидкість запису до 800 Мбайт/с. Мікросхеми пам’яті з інтерфейсом eUFS 3.0 показували ще меншу швидкість запису — до 400 Мбайт/с. Тим самим Samsung потроїла цей параметр, що виглядає вельми вражаюче.
З подібною швидкістю фільм об’ємом 100 Гбайт можна переписати за 1,5 хвилини, тоді як у разі накопичувача eUFS 3.0 запис тривав би 4 хвилини. Пакет великих фотографій на смартфоні або відео з роздільною здатністю 8K на ноутбуці — всім цим стане легше оперувати, коли нова пам’ять Samsung проникне в пристрої.
Усталена швидкість читання з нових мікросхем Samsung залишилася на рівні мікросхем попереднього покоління і досягає 2,1 Гбайт/с. Теоретична межа швидкості обміну по інтерфейсу UFS 3.1 досягає 2,9 Гбайт/с, так що виробникам ще є над чим працювати.
Слід сказати, що специфікації eUFS 3.1 в порівнянні зі специфікаціями eUFS 3.0 не передбачають зростання швидкості обміну до нового значення, хоча залишають лазівку для збільшення швидкості запису. Ймовірно, цим і скористалася компанія Samsung. Зокрема, специфікації eUFS 3.1 передбачають наявність буфера для запису. Очевидно, це прискорить запис до якогось певного обсягу інформації, а після переповнення буфера швидкість може знизитися, але нам це ще належить дізнатися. Поки ж чіпи Samsung eUFS 3.1 об’ємом 512 Гбайт, 256 Гбайт і 128 Гбайт залишаються найшвидшими в індустрії.
Додамо, швидкість запису випадкових блоків в термінах IOPS зросла незначно — лише на 3% з 68 000 до 70 000. Швидкість читання випадкових блоків в IOPS збільшилася переконливо — на 60% з 63 000 до 100 000. У нових смартфонах ця пам’ять з’явиться не раніше , ніж у другій половині цього року.
Що стосується графічного процесора, то він дійсно буде мати більший числом обчислювальних блоків, ніж будь-який з актуальних чіпів Navi. Графіка майбутньої Xbox отримає 52 обчислювальних блоку, що означає наявність 3328 потокових процесорів, і її тактова частота складе 1825 МГц. Відзначається також підтримка апаратного прискорення трасування променів при використанні DirectX Raytracing.
Консоль Xbox Series X отримає 16 Гбайт пам’яті GDDR6, яка буде виступати в якості оперативної пам’яті як для графічного, так і для центрального процесорів. В результаті 10 Гбайт пам’яті будуть підключені по 320-бітної шині і забезпечать пропускну здатність в 560 Гбайт / с, а решта 6 Гбайт отримають більш вузьку шину і пропускну здатність в 336 Гбайт / с. В обох випадках, як видно, будуть використані мікросхеми з робочою частотою 1750 МГц.
Для зберігання даних в Xbox Series X буде використовуватися якийсь кастомний твердотільний накопичувач з інтерфейсом NVMe об’ємом 1 Тбайт, ймовірно, розпаяний на платі. Повідомляється, що пропускна здатність при роботі з «сирими» даними складе 2,4 Гбайт / с, тоді як для стиснених даних цей показник буде вдвічі вище — 4,8 Гбайт / с. Також будуть підтримуватися спеціальні карти розширення пам’яті об’ємом до 1 Тбайт (на фото вище) і зовнішні накопичувачі з інтерфейсом USB 3.2. Буде у новій консолі і оптичний привід 4K UHD Blu-Ray.
Консоль Xbox Series X буде складатися з двох друкованих плат, на одній з яких розміститься платформа з оперативною пам’яттю, а на іншій — зовнішні порти і деякі інші елементи, в тому числі, можливо, SSD. Система охолодження буде включати масивну випарну камеру з досить щільним радіатором, який буде продуватися вентилятором, розташованим у верхній частині консолі, який буде направляти повітря від низу до верху.