Як повідомляє TheElec, Samsung розглядає можливість використання технології формованого заповнення (MUF) у своєму майбутньому поколінні динамічної пам’яті з довільним доступом (DRAM). Цей крок означає дослідження Samsung інноваційних методів для підвищення продуктивності та ефективності своїх рішень пам’яті. Технологія MUF, яка раніше використовувалася SK Hynix у виробництві пам’яті з високою пропускною здатністю (HBM), пропонує багатообіцяючі перспективи для майбутніх зусиль Samsung у сфері DRAM.
Технологія MUF включає введення матеріалу між напівпровідниками після свердління численних крихітних отворів у напівпровідникових шарах. Цей процес призначений для надійного з’єднання кількох вертикально розташованих напівпровідників. Нещодавні випробування Samsung процесу MR MUF для 3D стекованої пам’яті показали підвищену пропускну здатність порівняно зі звичайними методами, такими як термопресована непровідна плівка (TC NCF). Однак існують міркування щодо його впливу на фізичні характеристики.
Незважаючи на те, що Samsung вважає MUF непридатним для технології HBM через особливі вимоги, він бачить потенційні застосування в зареєстрованих у 3DS дворядних модулях пам’яті (RDIMM), які в основному використовуються в серверних середовищах. Це рішення узгоджується з прагненням Samsung розвивати серверні технології пам’яті DRAM, щоб відповідати мінливим потребам галузі.
Успіх MUF у виробництві HBM компанією SK Hynix привернув увагу в напівпровідниковій промисловості. Вважається, що ця суміш для формування епоксидної смоли має такі переваги, як запобігання викривленню пластин і підвищення загальної продуктивності. Прагнення Samsung розробити власну суміш MUF у співпраці з Samsung SDI вказує на стратегічний крок до створення власних рішень, адаптованих до її вимог.
Потенційне впровадження технології MUF компанією Samsung має велике значення для ринку напівпровідників. Будучи провідною компанією з виробництва напівпровідників для накопичувачів, Samsung схвалює MUF і може сприяти її широкому визнанню та прийняттю як основної технології. Ця розробка має потенціал для зміни ландшафту ринку напівпровідникових матеріалів, що призведе до значних перетворень у галузі.