На сайті аналітичної компанії TrendForce опублікований прогноз, в якому названі 10 основних тенденцій, які, як очікується, будуть мати місце в різних сегментах галузі високих технологій у 2022 році.
- Першою названа що триває розробка дисплеїв micro-LED і mini-LED. На думку аналітиків, «значна кількість технічних вузьких місць в розробці micro-LED все ще збережеться в 2022 році», через що витрати на виробництво дисплеїв цього типу «залишаться захмарними».
- Аналітики впевнені, що «більш передова технологія AMOLED і камери під дисплеєм відкриють новий етап революції смартфонів». Очікується також, що роздрібні ціни на складні моделі будуть в межах цін на звичайні флагманські моделі, що призведе до зростання продажів.
- У напівпровідниковому виробництві визначальним буде освоєння норм 3 нм. Компанія TSMC на цьому етапі продовжує робити ставку на технологію транзисторів FinFET, а Samsung перейде на GAA (так називається GAAFET в реалізації південнокорейського виробника).
- Поступово почнеться масове виробництво пам’яті DDR5, а кількість шарів у флешпам’яті NAND перевищить 200.
- Оператори мобільних мереж запустять більше пробних проєктів для сегментування мереж 5G SA і додатків з малою затримкою.
- Супутникові оператори будуть конкурувати на ринку низькоорбітальних супутників, а 3GPP включить в стандарт Release 17 Protocol Coding Freeze «не наземні» мережі.
- У той час як розумні фабрики одними з перших почали використовувати цифрових двійників, очікується, що технології інтернету речей стануть основою «метавселенной», яка представляється як «інтелектуальне, повне, безпечне зображення фізичного світу в реальному часі».
- Виробники обладнання AR і VR будуть прагнути забезпечити повне занурення шляхом інтеграції додаткових датчиків і обробки даних по алгоритмах штучного інтелекту.
- Бувши природним продовженням технології автономного водіння, автоматизованого парковання автомобілів стане важливою додатковою функцією висококласних транспортних засобів.
- Стимулюється зростанням попиту на елементну базу для електромобілів напівпровідникова промисловість третього покоління буде рухатися до використання 200-міліметрових пластин SiC і GaN і до нових технологій корпусіровкі.