Компания Samsung Electronics в рамках мероприятия GPU Technology Conference представила новые стеки памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory, HBM), которые она назвала Flashbolt. Они относятся к памяти типа HBM2E, и, по сути, являются улучшенной и более быстрой версией актуальной памяти HBM2.
Сообщается, что это первые стеки типа HBM2E, которые способны обеспечить пропускную способность в 3,2 Гбит/с на контакт, что на 33 % выше максимальной пропускной способности обычных микросхем HBM2. Кроме того, память нового типа обладает вдвое большей ёмкостью, которая составляет 16 Гбит на один кристалл. Один стек памяти HBM2E включает восемь кристаллов, так что общий объём достигает внушительных 16 Гбайт. В свою очередь пропускная способность одного стека Flashbolt может достигать внушительных 410 Гбайт/с. Столь высокие показатели делают новую память отличным решением как для высокопроизводительных вычислений, так и для мощных графических ускорителей.
Как отмечает сама Samsung, память Flashbolt обладает самой высокой в отрасли производительностью и позволит создавать усовершенствованные решения для центров обработки данных следующего поколения, искусственного интеллекта, машинного обучения и графических приложений. Компания Samsung продолжит расширение ассортимента памяти DRAM премиум-класса, а также будет улучшать память с высокой производительностью и ёмкостью, низким энергопотреблением для удовлетворения рыночного спроса.