Компанії

IBM представила 19-Тбайт NVMe SSD из памяти MRAM

4

К саммиту Flash Memory Summit 2018 компании IBM и Everspin подготовили анонс любопытного продукта — линейки серверных SSD FlashSystem с кеширующим буфером из памяти ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM).

Обычно подобный буфер выполняется из памяти DRAM (в современной версии — из DDR3 или LPDDR4), который необходимо защищать от потери данных в момент критических сбоев питания. Делается это с помощью навесных батареек или суперконденсаторов.

Замена микросхем буфера на энергонезависимую память упрощает процесс защиты данных во время сбоя питания. Другое дело, что для этого подходит далеко не каждая память.

Например, память NAND медленная и подвержена быстрому износу. Частично проблема износа решается за счёт буфера из NAND SLC, но хотелось бы чего-то более надёжного.AnandTechПерспективной памятью для буферов записи SSD считается магниторезистивная память и она в недавнем прошлом для этого уже использовалась.

Пока создать накопитель исключительно на памяти MRAM представляется невыгодным — слишком мала плотность записи. Так, сегодня память MRAM выпускается в виде 256-Гбит чипов с техпроцессом 40 нм.

До конца года обещает начаться выход 22-нм микросхем объёмом 1 Гбит, но и этой ёмкости мало для производства SSD. Впрочем, в ряде случаев создание SSD на памяти MRAM выгодно и это делается.

В компании IBM решили начать с малого и внедрили в производство линейку SSD с буфером записи из 256-Гбит микросхем MRAM Everspin.AnandTechЗаметим, традиционно накопители IBM FlashSystem имеют уникальную конструкцию, которая также имеет, скажем, так, централизованную систему защиты от пропадания питания.

Новые накопители в линейке IBM FlashSystem выполнены в виде SSD 2,5-дюймового формфактора U.2 и к защите от сбоев питания пришлось прибегать уже индивидуально.

Читайте також -  Apple готує дисплеї з частотою 90 Гц для iPad Air, Studio Display та iMac

В компании IBM решили проблему в корне — заменили буфер из DRAM на буфер из ST-MRAM. Основной массив памяти — это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC. Представлены модели накопителей объёмом до 19,2 Тбайт. Интерфейс — PCI Express 4.0 x4, который может работать в режиме двух портов одновременно (2+2).

Поставки новинок клиентам компания IBM рассчитывает начать в течение августа. Другой информации о накопителях пока нет.

4 Comments

  1. … [Trackback]

    […] Here you will find 35457 more Information on that Topic: portaltele.com.ua/news/companies/ibm-predstavila-19-tbajt-nvme-ssd-iz-pamyati-mram.html […]

  2. … [Trackback]

    […] Read More on to that Topic: portaltele.com.ua/news/companies/ibm-predstavila-19-tbajt-nvme-ssd-iz-pamyati-mram.html […]

  3. … [Trackback]

    […] Read More Information here to that Topic: portaltele.com.ua/news/companies/ibm-predstavila-19-tbajt-nvme-ssd-iz-pamyati-mram.html […]

  4. … [Trackback]

    […] There you can find 21505 additional Info to that Topic: portaltele.com.ua/news/companies/ibm-predstavila-19-tbajt-nvme-ssd-iz-pamyati-mram.html […]

Leave a reply

error: Вміст захищено!!!