Події
Samsung создала прототип рекордной 1-Гбит встраиваемой STT-MRAM
Кроме компании Intel на конференции IEDM 2019 своими достижениями в области производства магниторезистивной памяти поделилась компания Samsung. За год, прошедший со времени проведения IEDM 2018, Intel увеличила опытный ...