Технології
Створено транзистор, розрахований на напругу колектор-емітер 4500 В і струм колектора 2000 А
Компанія Toshiba повідомила початок масового виробництва інжекційного транзистора зі збагаченим затвором (IEGT) в обтискному корпусі діаметром 168 мм. Новинка, що отримала назву ST2000GXH32, ...