Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии

Ученые  смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии, чтобы определить их магнитные, структурные и электронные физические свойства.

Об этом написано в статье в журнале Journal of Materials Chemistry C.Ранее усовершенствование микроэлектрических приборов осуществлялось в соответствии с законом Мура.

Каждые два года ученые удваивали количество транзисторов, увеличивая и частоту.

Но из-за миниатюризации элементов микросхем принципы работы установки на основе кремния переставали работать.

Закон Мура впервые перестал работать в 2003 году. Тогда транзисторы должны были показывать частоту 4 ГГц, а в 2007 – 10 ГГЦ.

Однако до нынешнего времени они показывают частоту не более 3,2 ГГЦ. В новом исследовании ученые решили преодолеть барьер с помощью соединения кремния и ферромагнитного полупроводника.

В таком случае кристаллы вещества-полупроводника создаются на поверхности кристаллов кремния и образовываются новые спиновые контакты.

Результаты работы дают возможность создавать новые спиновые транзисторы и инжекторы.

Взято с vistanews.ru

Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии: 1 комментарий

  1. Уведомление: blote tieten

Обсуждение закрыто.

Exit mobile version